条形InP／InGaAsP-EAM的色散特性实验研究

蔡纯; 刘旭; 张明德; 孙小菡

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条形InP／InGaAsP-EAM的色散特性实验研究

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采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪,实验研究了不同组分比的条形InP/In1-xGaxAs1-yPy多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM)的色度色散(CD)特性。研究结果表明,Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关,并估算了EAM的带宽。因此,对应用于高速光通信系统中的同类型半导体光子器件,所用材料必须尽可能一致,以保证其高速性能的一致性。

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来源
《光电子．激光》 |2008年第4期|434-438|共5页
作者
蔡纯; 刘旭; 张明德; 孙小菡;
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作者单位

东南大学电子工程系光子学与光通信研究室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
InP/InGaAsP; 色度色散(CD); 群时延(GD); 电吸收调制器(EAM); 多量子阱(MQW);

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