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一种新型的多用途发光量子点——InP

         
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摘要

InP量子点是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料,由于其在禁带宽度、电子迁移率等方面的独特性能而受到广泛关注.研究人员通过控制反应条件、表面修饰以及进行掺杂等对InP材料的性能进行调控,使之更广泛地应用于通信、材料、传感、能源及照明等领域.

著录项

  • 来源
    《物理通报》 |2017年第10期|116,122|共2页
  • 作者

    尉紫冰; 马皓天; 李旭; 关丽;

  • 作者单位

    河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 河北 保定 071002;

    河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 河北 保定 071002;

    河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 河北 保定 071002;

    河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 河北 保定 071002;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    InP量子点; 电子迁移率; 照明;

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