基于MOS场效应晶体管的高精度可变电阻器

霍显杰; 田力学; 李永刚; 李颖弢

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基于MOS场效应晶体管的高精度可变电阻器

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本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之并联的电阻是否接入电路,电阻逐个使用2^(n)Ω。基于电阻分压定律,微控制器(MCU)控制电压控制的电压源(VCVS)的电压来等效模拟电阻分压以达到模拟电阻的目的,本设计引入了比例积分PI控制,很好地消除了误差电阻的影响,提高了电阻精度,且具有良好的抗干扰性能和温度补偿性能。相较已有的一些变阻器,该变阻器具有体积小、精度高、易集成和电阻连续可控等优点,可以广泛应用于电路设计、通信工程、控制工程等领域,在大学物理实验中亦有广泛的用途。

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来源
《物理与工程》 |2021年第6期|50-56|共8页
作者
霍显杰; 田力学; 李永刚; 李颖弢;
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作者单位

兰州大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN9;
关键词
MOS场效应晶体管; 可变电阻; 比例积分控制(PI控制); 微控制器(MCU); 电压控制的电压源(VCVS);

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