金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)

王涛; 姚键全; 张国义

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如今，InGaN／GaN基量子阱发光二极管已经商业化，而且InGaN／GaN基量子阱激光二极管已实现连续波室温运转，使用寿命超过10000小时，虽然如此，但还没有完全搞清楚这些器件的发光机理．试验中通常使用连续输出He-Cd激光器（325nm）作光源，或者使用20—50mA注入电流来研究In—GaN量子阱样品或发光二极管光学性质，本文上篇研究了量子阱厚度与发光二极管发光功率的关系，lnGaN和GaN之间的晶格失配产生压电场，从而导致量子束缚斯塔克效应，而量子束缚斯塔克效应强

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来源
《物理》 |2005年第10期|718-724|共7页
作者
王涛; 姚键全; 张国义;
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作者单位

天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所教育部光电信息技术科学重点实验室天津 300072;

北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心北京 100871;

天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所教育部光电信息技术科学重点实验室天津 300072;

北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心北京 100871;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
InGaN／GaN; 发光二极管; 金属有机化学气相沉积; 激光二极管; 外延技术; 半导体; 斯塔克效应; 生长; 量子阱;

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