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AHF; 氧化膜; 硅; 选择性蚀刻; 等离子体蚀刻;
机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:黑硅方法X:使用轮廓控制对硅进行高速和选择性等离子体蚀刻的评论:博世与低温恒温器DRIE工艺之间的深入比较,作为下一代设备的发展蓝图
机译:使用无水氟化氢气体原位去除硅表面的天然氧化物
机译:使用超净无水氟化氢通过干法工艺选择性蚀刻天然氧化物
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:氟化氢铵和氟化氢铵与异丙醇溶液混合蚀刻的Z形切割石英的表面粗糙度
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保护低k完整性和高k栅堆叠蚀刻
机译:含有氟化氢和氮氧化物的无水系统的化学
机译:在III-V族化合物半导体的天然氧化物存在下对电介质掩模的选择性等离子体蚀刻
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