新型碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路

唐赛; 王俊; 沈征; 刘江

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新型碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路

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将几种典型的传统双极结型晶体管(BJT)驱动应用于碳化硅(SiC) BJT,并对其功耗、开关速度进行比较,在此基础上对其参数进行优化,最后提出了一种SiC BJT的新型自适应驱动,通过建立从集电极电流到基极电流的正反馈,基极电流能等比例地跟随集电极电流,使得电流增益系数保持稳定,简化了驱动电路并提高了电路的响应速度,同时大大降低了轻载时基极稳态驱动功耗.通过斩波电路的实验结果表明,自适应驱动方式稳态功耗仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30％左右.

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来源
《电力电子技术》 |2016年第6期|105-108|共4页
作者
唐赛; 王俊; 沈征; 刘江;
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作者单位

湖南大学,电气与信息工程学院,湖南长沙 410082;

湖南大学,电气与信息工程学院,湖南长沙 410082;

湖南大学,电气与信息工程学院,湖南长沙 410082;

国网智能电网研究院,北京 102211;

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正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
双极结型晶体管; 碳化硅; 自适应驱动;

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