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2009年6月，第21届IEEE功率半导体器件和功率集成电路国际会议（ISPSD）在西班牙的巴塞罗那召开。一年一届的会议比较集中地反映一年来或近几年来国际上功率半导体器件和功率集成电路领域研究、开发的新进展、新成果和新思维。现邀请今年参加此盛会的胡冬青博士撰文述评该会议的状况，刊于本期“综述”栏目。该文分五部分阐述：1、特邀综述；2、低压器件；3、高压硅器件；4、集成功率；5、宽禁带器件与电路。限于篇幅，本期刊登1～3部分，下期刊登4～5部分。

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来源
《电力电子》 |2009年第4期|P.1|共1页
作者

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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类结构、器件;
关键词
功率半导体器件; 功率集成电路; 国际会议; 巴塞罗那; IEEE; 低压器件; 西班牙; 硅器件;

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