优化安全工作区（SOA）性能的下一代IGCT

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• 来源
  《电力电子》 |2007年第1期|44-46|共3页
• 作者

  Th.; Stiasny; P.; Streit; M.; Rahimo; E.; Carroll; 李永建（译）; 古玉书（校）;

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• 作者单位

  不详;

  北京金自天正公司;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 CHI
• 中图分类 半导体三极管（晶体管）;
• 关键词

  安全工作区; IGCT; 性能; 功率半导体器件; 优化; 电力电子系统; 电流容量; 高电压;