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600V; NPT型IGBT; 双极性晶体管; 工作频率; IR公司;
机译:IR推出符合汽车标准的600V IGBT
机译:具有低剂量P缓冲和透明P发射极的600V薄晶圆PT-IGBT的新阳极设计概念具有低剂量P缓冲和透明P发射极的600 V薄晶圆PT-IGBT的新概念
机译:对600V沟槽IGBT的单一事件闸门破裂和硬化的实验研究
机译:通过RC-IGBT结构概念从SJ-MOSFET从SJ-MOSFET进行IGBT,在单芯片解决方案中为600V类SJ-RC-IGBT进行IGBT
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:塑料分析推出倒置重复(IR)膨胀和海水中的阳性选择(
机译:在奥尔胡斯大学(aarhus Universitet)为Klinikassistenter,Tandplejere og Kliniske Tandteknikere(sKT)推出了一款适用于ipad的ipad。
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:反向导电绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有半导体主体,该半导体主体具有形成有n型区域和p型区域的单元区域,其中n型区域和p型区域之间的部分以不同的最小距离形成。
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