Thyratrons; Mosfets; Pulse rise time; Pulse generators; Plasma diagnostics; Performance evaluation;
机译:在窄电流脉冲条件下评估15-kV SiC MOSFET和20-kV SiC IGBT的长期可靠性和过流能力
机译:Si IGBT和SiC MOSFET在脉冲功率应用中的浪涌电流能力的比较研究
机译:通过Si IGBT / BiMOSFET实现1700V,50A SiC功率MOSFET的高开关性能,适用于高级功率转换应用
机译:评估脉冲功率应用中的MOSFET和IGBT
机译:适用于大功率MOSFET和IGBT的智能栅极驱动器。
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:对脉冲电力应用的MOSFET和IGBT的评估