在500V电压等级的AC／DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争

著录项

• 来源
  《电力电子》 |2005年第6期|26-29|共4页
• 作者

  Sampat; Shekhawat; Praveen; Shenoy; SungMo; Young; Bob; Brockway;

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• 作者单位

  Discrete;

  Power;

  Group,Fairchild;

  Semiconductor;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 CHI
• 中图分类 电力网;
• 关键词

  MOSFET器件; 电压等级; 平面型; 最优化; AC／DC; 竞争; Fairchild; 应用; 开关损耗; 超大面积;