不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响

魏峰; 吴郁; 吴立成; 周东海; 李立

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不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响

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半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

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来源
《电力电子》 |2013年第3期|P.38-4018|共4页
作者
魏峰; 吴郁; 吴立成; 周东海; 李立;
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作者单位

北京工业大学功率半导体器件实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
场环场板; 多级场板; 击穿电压; 碰撞电离; 驱动场;

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