嘉兴斯达半导体IGBT模块

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绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是一种新型的电力电子器件，它综合了MOSFET和BJT两者的优点，具有近似最优的电力电子器件特性，一方面IGBT具有MOS栅极结构，有高的输入阻抗，为电压控制型器件，简化了驱动和控制电路的设计；另一方面IGBT具有BJT的电导调制效应，具有通过大电流的能力，使得IGBT能够广泛地应用于中大功率的应用领域。

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来源
《电力电子》 |2010年第2期|72-72|共1页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
IGBT模块; 半导体; 绝缘栅双极型晶体管; 电力电子器件; MOSFET; 嘉兴; 电导调制效应; 电压控制型;

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