发射极电阻对放大器静态工作点稳定性的作用及其常见电路分析

机译：三种常见的发射极晶体管伺服前置放大器的比较

机译：使用发射极电容/电阻变性的宽带INP跟踪和保持放大器

机译：制造去除发射极电阻的立式电流输出放大器

机译：G频段的常见发射极和共源共栅拓扑：单级183 GHz功率放大器的比较研究

机译：CMOS光学前置放大器的设计使用图形电路分析。

机译：基于ZnO波导的边缘发射极化子激光器和放大器

机译：双极放大器偏置技术可实现独立于内部发射极电阻的强大IM3空跟踪

机译：通用发射极晶体管音频放大器的优化设计

机译：单稳态多谐振荡器和FM检测器电路，采用具有多个发射极电阻的公共发射极晶体管放大器来避免信号噪声引起的电路工作

机译：现有技术的放大器电路，光接收放大器电路以及具有接地的发射极放大器电路的光学拾取装置，其中每个发射极电路都具有接地的发射极晶体管

机译：具有对数电压电平控制的电子衰减器-晶体管连接到反作用电路，放大器提供与放大器输入成比例的发射极-基极电压