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郭迟;
输出级; 场效应管; 漏极; 放大器设计; 激励级; 放大量; 电压放大; 晶体管放大器; 差动放大器; 测量放大器;
机译:MOSFET的栅极到漏极和漏极到源极的寄生电容对E / F 3 sub>类功率放大器的性能的影响
机译:使用锥形漏极并联电容器的GaN分布式功率放大器MMIC的输出匹配技术
机译:在任何分级系数下均考虑MOSFET非线性漏极至源极电容和非线性栅极至漏极电容的E类功率放大器设计
机译:一种采用0.18 um RFSOI CMOS技术的具有双漏极输出功率技术的新型堆叠式E类功率放大器
机译:高线性功率放大器的漏极偏置
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:直流至20 GHz超宽带高增益线性分布式功率放大器,漏极效率为19.5%
机译:作者:张莹莹,王汝传,电机与控制学报ELECTRIC maCHINEs aND CONTROL表面船舶直流应用中双极LC输出滤波器连续导通多脉冲相控整流器的对比分析。
机译:调节宽带功率放大器输出级晶体管漏源极间电压的方法及其输出阶段
机译:一种稳定电极电压漏源输出级晶体管的方法宽带功率放大器和输出级实现
机译:用于具有感性负载的push = pull输出级的耦合和解耦晶体管控制装置-在push = pull输出级中与漏极晶体管连接的驱动晶体管
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