四元化合物半导体Cu2ZnSnS4:结构、制备、应用及前景

赵响; 赵宗彦

首页> 中文期刊> 《化学进展》 >四元化合物半导体Cu2ZnSnS4:结构、制备、应用及前景

四元化合物半导体Cu2ZnSnS4:结构、制备、应用及前景

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

四元化合物半导体铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)由于其四种组成元素在地壳中丰度非常高且安全无毒,因而成本低廉.CZTS作为直接带隙半导体材料,其吸收光谱与太阳辐射光谱匹配性好、光吸收系数高,具有结构与性质可调可控、光电性能优异等优势,是发展绿色、低成本、高效率和稳定薄膜太阳电池的理想核心材料.近年来,国内外研究者对CZTS的结构与性质、制备工艺、应用尤其是通过结构、成分的调控提高其光电转换效率等方面进行了广泛的研究和探讨.本文对CZTS的结构演变、制备工艺、光电性质与应用等进行综述,重点分析了晶体结构、缺陷、表面与界面、合金化等因素对其光伏性能的影响.同时,对CZTS作为新型能量转换材料在光催化和热电等领域的应用进行了探讨.最后对CZTS目前存在的挑战和今后的研究重点进行总结并展望了将来可能的突破方向.

著录项

来源
《化学进展》 |2015年第7期|913-934|共22页
作者
赵响; 赵宗彦;
展开▼
作者单位

昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093;

昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类应用化学;半导体物理化学、化学物理;薄膜太阳能电池;
关键词
铜锌锡硫; 结构演变; 制备工艺; 光电应用; 薄膜太阳电池;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 化合物半导体纳米复合材料的制备和结构及光学特性研究 [J] . 刘鸿凌 ,王飒飒 . 西安交通大学学报 . 1995,第009期
2. Ⅱ—VI族宽禁带化合物半导体的研究现状及其应用前景 [J] . 黄廷荣 . 电子材料（机电部） . 1991,第009期
3. ICP技术在化合物半导体器件制备中的应用 [J] . 姚刚 ,石文兰 . 半导体技术 . 2007,第6期
4. C_（60）的制备、结构、性质及其衍生物的结构和潜在的应用前景 [J] . 王凤山 ,崔爱莉 . 炭素技术 . 1994,第6期
5. 含环糊精结构四元共聚物驱油剂的制备及性能研究 [J] . 苟绍华 ,赵鹏 ,彭川 . 化学研究与应用 . 2017,第005期
6. 共蒸发制备Cu2ZnSnS4薄膜中三元、四元化合物反应机理研究 [C] . 赵微 ,王继国 ,李建军 . 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 . 2014
7. 单晶硅衬底Cu2ZnSnS4薄膜的制备及Cu2ZnSnS4/Si界面特性研究 [A] . 刘辉城 . 2021

四元化合物半导体Cu2ZnSnS4:结构、制备、应用及前景

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅