高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器

毛明春; 张翔九; 胡际璜; 蒋最敏; 朱海军; 孙燕青; 王迅; 盛伯苓

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高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器

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利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。

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来源
《自然科学进展》 |1998年第2期|175-180|共6页
作者
毛明春; 张翔九; 胡际璜; 蒋最敏; 朱海军; 孙燕青; 王迅; 盛伯苓;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

上海无线电七厂;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
异质结; 内光电子发射; 红外探测器; 硅; 半导体;

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