首页> 中文期刊> 《科技经济市场》 >对新型半导体光电探测器及其填充系数的研究

对新型半导体光电探测器及其填充系数的研究

         

摘要

本文提出了一种用于CMOS传感器的新型半导体光电器件,由于引入PN注入结,沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,因此提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比.本文详细的分析了其工作原理和光电特性.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号