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刘艳涛; 黄蕾;
西安理工大学自动化学院,西安,710048;
输出可调; 带隙基准源; 设计; 直流电源变换器; 性能; 温度系数; 电源抑制比; 基准电路;
机译:用于高性能Ingao TFT的带隙设计双层频道层的带隙设计的双层频道层
机译:宽带隙材料的设计朝着可调带隙方向发展,并增加了带注入特性:硅烷与周围的咔唑基取代基一起中断π共轭
机译:水晶场调制控制,带隙工程和浅/深陷阱定制引导设计一种可调性的长持久荧光粉(CA,SR)GA4O7:MN2 +,BI3 +
机译:高性能浮动输出带隙电路
机译:通过电子结构计算合理化半导体的带隙可调性
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:高性能CMOS带隙参考电路设计
机译:具有可调谐带隙的人造氧化物异质结构。
机译:带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
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