不对称双势垒结构的共振隧穿现象

宋捷

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不对称双势垒结构的共振隧穿现象

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在PECVD系统中,用layer by hyer的方法原位制备了a-SiNx/nc-Si/a-SiNx双势垒结构样品.AFM测量结果显示nc-Si晶粒密度约为1.2×1011cm-2,通过Raman散射谱计算出薄膜中的平均晶粒尺寸为6nm,nc-Si层的晶化比约46%.在低频时的电容-电压(C-V)测试过程中,观察到了与共振隧穿效应有关的电容峰,由于样品中的nc-Si颗粒尺寸均匀性不高,没有观察到分立的隧穿电容峰结构,只得到扩展的电容峰.

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来源
《科技信息》 |2010年第11期|507-508|共2页
作者
宋捷;
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作者单位

韩山师范学院物理与电子工程系;

广东;

潮州;

521041;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
nc-Si; 双势垒结构; 共振隧穿;

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