具有辅助栅的新型低泄漏U沟道无结场效应晶体管

机译：新型超薄水平管形沟道全栅多晶硅无结场效应晶体管的制备与表征

机译：具有沟槽和全栅结构的混合P沟道/ N衬底多晶硅纳米片无结场效应晶体管

机译：具有通过金属有机化学气相沉积形成的AlO_x栅绝缘体的低泄漏和减小电流崩塌的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管

机译：无结栅全环绕场效应晶体管的硅和III-V沟道材料的性能分析

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：表征具有双栅结构的凸起S / D无结薄膜晶体管的电性能

机译：短沟道无结双栅mOsFET的二维分析模型

机译：蓝宝石绝缘栅场效应晶体管（IGFET）上N沟道硅的电子辐照

机译：用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法，所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值

机译：具有超薄低晶硅沟道的无结型场效应晶体管及其制造方法

机译：具有掩埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管及其制造方法