异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究

顾聪; 王德宁; 王渭源

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异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究

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本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出了I-V,I_(Ds)-V_(Ds),g_(ms),g_D和C_G等参数的解析表示式。计算结果和文献实测值符合甚好。在此基础上,本文还提出了栅泄漏等效电路模型,对其起因和影响因素,及其对g_(ms),g_D及C_G的影响,以及降低其影响的途径等进行了讨论。计算结果与实测值也较符合。

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来源
《半导体学报》 |1990年第12期|922-930|共9页
作者
顾聪; 王德宁; 王渭源;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结型场效应晶体管;
关键词
HIGFETs; 静态模型; 栅泄漏电流;

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