首页> 中文期刊> 《科教导刊：电子版》 >基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥逆变实验装置

基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥逆变实验装置

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

针对传统小型逆变器存在功率密度低、转换效率低及体积较大的问题,本文提出一种基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥拓扑分析,在分析氮化镓(GaN)GS66502的等效电路基础上。

著录项

来源
《科教导刊：电子版》 |2018年第9期|270-270|共1页
作者
李宇; 曹桂梅;
展开▼
作者单位

重庆理工大学电气与电子工程学院;

重庆400054;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类整流器;
关键词
氮化镓(GaN); 全桥拓扑; 逆变器;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 第三代半导体材料氮化镓(GaN)研究进展 [J] . 谢欣荣 . 广东化工 . 2020,第018期
2. 半导体:氮化镓（GaN）功率半导体开始起量 [J] . 无 . 股市动态分析 . 2020,第4期
3. 砷化镓GaAs氮化镓GaN材料的发展趋势与市场应用 [J] . 华强 . 集成电路应用 . 2016,第002期
4. 基于全桥逆变-全桥整流方案车载开关电源的研究与实现 [J] . 黄春春 ,杨喜军 ,张哲民 . 电气自动化 . 2009,第006期
5. 基于氮化镓GaN硅衬底的LED [J] . 陈振 . 集成电路应用 . 2015,第004期
6. 适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备 [C] . 焦春美 ,刘祥林 . 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 . 2003
7. 半导体材料氧化镓和氮化镓的合成和表征 [A] . 区顺英 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号