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半导体材料; 香山科学会议; 21世纪上半叶; 技术革命; 第三代; 应用; 器件;
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机译:浮区法制备的宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶中杂质阳离子之间的补偿效应
机译:太赫兹时域光谱椭偏仪评估宽禁带半导体的电特性
机译:S4-P1:用于电力电子应用的宽禁带隙半导体器件
机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:使用聚焦离子束技术的欧姆接触制备和层半导体纳米结构的电学表征
机译:宽禁带半导体4H-SiC中MOS结构绝缘膜的制作与评估研究
机译:模式奇点和崩溃:应用于半导体激光器和超短光脉冲的技术聚焦
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译:使用聚焦光照射的基板制造半导体薄膜的方法,使用聚焦光照射的基板制造半导体薄膜的装置,使用聚焦光照射的基板选择性地生长半导体薄膜的方法以及使用聚焦光照射的基板的半导体元件
机译:用于宽禁带半导体功率器件的原位掺杂半导体门电极的系统和方法
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