退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
王英民; 李斌; 魏汝省; 王利忠;
中国电子科技集团公司;
机译:通过PVT法进行半绝缘SiC单晶生长的新材料
机译:无微管4H-SiC在4H-SiC {0 3(3)上方8}晶种和高纯度半绝缘6H-SiC上的晶体生长
机译:用于半绝缘SiC晶体生长的V掺杂SiC粉末的合成
机译:通过PVT方法进行半绝缘SiC单晶生长的新材料
机译:浮区技术研究Ⅳa族和Ⅴa族过渡金属碳化物的单晶生长
机译:源材料的形态变化对4H-SiC单晶生长界面的影响
机译:使用多孔石墨钒掺杂半绝缘SiC单晶生长
机译:在Czochralski工艺,单晶生长炉中连续补充熔融半导体
机译:SiC单晶生长装置,SiC单晶生长方法和SiC单晶
机译:SiC单晶生长方法,SiC单晶生长装置和SiC单晶锭
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。