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基于狭缝结构的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器

         

摘要

电光调制器(Electro-optic modulator,EOM)在连接电场和光场方面发挥着至关重要的作用。本文中我们提出了一种基于绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator,LNOI)平台的异质集成EOM。主要的调制波导结构是通过在薄膜铌酸锂中嵌入硅纳米线形成具有光场增强作用的狭缝波导结构,而不是先前报道的铌酸锂薄膜脊型或无蚀刻型铌酸锂薄膜波导,这种结构可以有助于提高相应EOM的性能。本文所获得的器件性能如下:半波电压与电极长度乘积(VπL)为1.88 V·cm。若将双电容电极与波导结构联用,可进一步将VπL降低至1.35 V·cm。本文所用的场增强型狭缝波导结构和双电容电极结构将进一步促进基于LNOI平台的EOM发展。

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