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一种薄膜铌酸锂双平行电光调制器集成芯片

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本发明公开了一种薄膜铌酸锂双平行电光调制器集成芯片，自下而上包括衬底层、掩埋氧化层、电光调制器件层和上包层；电光调制器件层由左至右依次包括输入光波导、输入分光耦合器、两个并列的马赫增德尔电光强度调制器、电极复合输出合路耦合器和输出光波导，其中两个并列的马赫增德尔调制器包括输入分光耦合器、深刻蚀区、矩形地电极、T形地电极、矩形信号电极、T形信号电极、T形地电极、共用的矩形地电极、夹在电极间的传输光波导和输出合路耦合器。通过引入双平行电光调制结构和T型电极结构，可以更灵活地调制光信号，提升微波光波匹配效果并降低器件的功耗。

著录项

公开/公告号CN114019703A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08

原文格式PDF
申请/专利权人东南大学;
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申请/专利号CN202111387456.4
发明设计人张彤;秦妍妍;陈泽贤;张晓阳;
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申请日2021-11-22
分类号G02F1/03(20060101);
代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人孙建朋
地址 211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2023-06-19 14:08:07

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