首页> 中文期刊> 《半导体行业》 >台湾地区研发MRAM明年推出1Mb样品

台湾地区研发MRAM明年推出1Mb样品

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

由于MRAM低耗电、速度快、耐久度高及颗粒体积小,几乎是集众多内存产品的优点于一身,因此被认定在应用端相当容易替换SRAM、FLASH、DRAM的应用,2004年,全球部分半导体大厂已陆续推出4-16Mb的MRAM样品。相对于国外半导体大厂陆续推出

著录项

来源
《半导体行业》 |2004年第s1期||共3页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类中国工业经济;
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Everspin推出带QuadSPI接口的1Mb串行MRAM器件 [J] . . 单片机与嵌入式系统应用 . 2013,第4期
2. 爱特梅尔提供带有1MB嵌入式闪存的SAM3S16ARM微控制器样品 [J] . . 中国集成电路 . 2011,第008期
3. 中望CAD新品研发节奏加快2017版最快明年初推出 [J] . . 中国机电工业 . 2015,第12期
4. Fujipream明年推出明年推出可输出交流电的太阳能电池板 [J] . . 电源技术应用 . 2005,第003期
5. 西门子推出全新Simotics XP 1MB低压隔爆电机 [J] . 朱建芸 . 轻工机械 . 2018,第4期
6. 台湾地区近年来部分基因芯片的研发 [C] . 吕安宁 . 第七届全国生化与生物技术药物学术年会 . 2010
7. 1Mb MRAM架构和关键电路的研究 [A] . 罗怡菲 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号