Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

江兴

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正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

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来源
《半导体信息》 |2012年第4期|P.9-10|共2页
作者
江兴;
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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
SiA436DJ Vishay 导通电阻占位面积强型移动计算欠压锁定负载开关平板电脑低压电源;

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