富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料

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富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech），富士通实验室（Fujitsu Laboratories Ltd）和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memery FeRAM）的新型材料这种铋铁,氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的5倍。

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来源
《工业和信息化教育》 |2006年第9期|131-131|共1页
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正文语种 chi
中图分类存贮器;
关键词
东京工业大学; FeRAM; 富士通; 材料; 技术开发; 铁电随机存储器;

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