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孙再吉;
GaN; 日立公司; 缺陷密度; 晶体质量; 机械应力; 金属层; 晶格常数; 钛金属; 剥离法; 技术创新;
机译:HVPE法在NGO衬底上生长GaN厚膜衬底-半导体激光器GaN衬底的开发
机译:通过HVPE方法在NGO衬底上外延生长GaN-开发用于制造激光二极管的GaN衬底
机译:使用再生p-GaN / AlGaN / GaN半极性栅极结构开发常关GaN衬底上的垂直GaN晶体管
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:低位错GaN衬底的开发及其在Eu掺杂GaN外延生长中的应用
机译:用于GaN研究和开发的碳化硅衬底
机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
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