金属层

摘要： 整合API RP 17B规范提出的海洋非黏结柔性软管9种常见失效模式,对国内外柔性软管金属层6种常见失效模式的研究进展进行较为详细的综述,并针对目前柔性软管金属层失效机制研究中存在的问题和短板,指出未来海洋柔性软管失效模式研究的下一步建议,为海洋柔性软管结构设计和完整性管理奠定基础。

摘要： 基于武汉大学Na和Fe激光雷达在2004年1月至2011年12月期间的观测数据,得到武汉上空中层顶区域Na和Fe原子层的平均特性、夜间变化和季节变化特征.Na层平均质心高度为91.36 km,平均RMS(均方根)宽度为4.64 km.Fe层平均质心高度为88.99 km,平均RMS宽度为4.57km.在充分考虑金属层夜间变化和季节变化对数据样本影响的基础上,获取了Na层和Fe层结构在此期间的年际变化特征.对Na层和Fe层质心高度及RMS宽度的年际变化进行线性拟合,发现Na层和Fe层在此期间均相对稳定,Na层质心高度在近8年间仅有约58m的下降,变化率为-7.91 m·a-1,Na层RMS宽度减小约151m,变化率为-20.60 m·a-1.同期,Fe层的质心高度下降了约230 m,变化率为-31.36 m·a-1,Fe层RMS宽度则有所增大,变化率为21.01 m·a-1.

摘要： 聚苯醚基材的对称、低活性分子结构使其具有十分稳定的化学性质,因此难以直接利用化学镀技术在基材表面沉积出高质量的金属层.针对此问题,文中采用化学蚀刻与多巴胺接枝相结合的方法对PPO基材进行表面改性处理,以调整表面粗糙度,改善表面亲水性.文中引入对Ag+具有吸附作用的活性官能团,提高了沉积金属层的导电性和附着力.各项表征测试证明了经过该方法制备出的铜层呈现出连续、均匀且致密堆积的形貌,并具有高纯度、良好的结晶度、优异的附着力以及低电阻率.

摘要： 伴随着4K、8K、低蓝光等高端液晶显示产品的问世,液晶显示面板以其技术创新带来的优秀性能仍旧占领市场主流。随着高端产品的不断增多和企业本身对TFT-LCD产品品质的不断追求,产品特性的SPC趋势管理势在必行。本文讲述了关于TFT-LCD产品的金属层特性——膜厚特性RS的一种SPC管理方法,文章通过数据研究及分析为RS特性量身定做出一套方便实际应用的SPC管理方法。

摘要： 密歇根大学的研究人员在努力改进大触摸屏、LED光面板和窗户红外太阳能电池的同时,还使塑料导电并使其变得更加透明。他们提供了一种方法,通过创建三层防反射表面来帮助其他研究人员找到电导率和透明度之间的最佳平衡点。导电金属层夹在两种“电介质”材料之间,使得光可以很容易地通过。这些介电材料会减少塑料和导电金属层的反射。此前,团队已经证明在塑料板上加一层金属使塑料板导电是可以实现的,其本身会减少大约10%的光透射。

摘要： 本实用新型公开了一种具有减震功能的汽车车轮,通过在该车轮的支撑块与轮胎的接触点嵌接有多个复位弹簧,当车轮行驶在颠簸的路面时,复位弹簧能够有效的减缓车轮所遇到的颠簸,从而在车轮本身上解决车辆的减震工作,且该车轮的橡胶胎唇很厚,比传统的轮胎厚1.5cm,且厚度适中,遇到颠簸时具有良好的减震效果,通过在该车轮的外表面设置有U形纹路和矩形纹路,带有纹路的轮胎在遇见马路上尖锐的问题时,能够有效的避开物体的尖锐棱角,且该车轮的轮胎内表壁覆盖有金属层,当尖锐物质扎入轮胎的内部时,金属层使得内胎与尖锐物质形成有效的隔绝,避免扎坏汽车内胎,金属层覆盖在胎唇的表壁,不影响内胎充气工作,可见该种实用新型,适合广泛推广(申请专利号:CN201821112046.2)。

摘要： 通过对本厂运行期间巡检时发现的高压单芯电缆在电缆桥架中存在发热的现象进行分析,探讨了高压单芯电缆不同的敷设方式和金属层接地方式对感应电压的影响,并针对本厂高压单电缆提出了一些维护的建议,保证单芯电缆线路长期安全稳定运行.

摘要： 本文从理论推导出发,导出金属层不同接地方式(两端接地和单端接地)下的电缆阻抗参数计算方法,并通过实例分析,得出不同排列方式及金属层不同接地方式下的电缆阻抗参数的差异性,为相应的电缆阻抗参数计算及设计工作提供参考.

摘要： 对某含肋结构天线罩进行了电性能设计，考虑了强度和刚度的实际情况，在天线罩的局部区域设计了金属层，天线的总增益提高了1.3dB，降低了天线的副瓣电平，满足了天线系统的需求。

摘要： 通过对公司A-96线氧化铝致冷基片产品实验的方式,将陶瓷金属化配方中的钨粉不同粒度进行了试验对比,找到了提高氧化铝陶瓷致冷基片金属层的表面质量和抗拉强度的规律.

摘要： 采用SHS/QP工艺制备了TiB-Fe叠层材料,确定了能成功制备叠层材料的陶瓷/金属层厚度比.电子探针分析表明,制备过程中陶瓷层中的Ti向Fe层进行了扩散,有利于界面结合.

摘要： 一种钝化偶联材料，其一方面用于使半导体器件中的电介质层钝化，另一方面用于在随后的处理步骤中允许或至少促进在其上的液相金属沉积。在一个具体实例中，所述电介质层可以是具有适宜地降低的介电常数k的多孔材料，并且所述钝化偶联材料提供基本上阻挡将环境水分吸附并且吸入到所述多孔电介质层中的空间屏蔽基团。所述钝化偶联材料还提供与不存在所述钝化偶联材料的金属沉积相比，促进金属在其上以液相形式沉积的金属成核部位。使用液相金属沉积处理促进随后制造所述半导体器件。在一个实例中，所述钝化偶联材料在其化学组成中具有多个Si原子，从而适宜地增加所述材料的热稳定性。

摘要： 一种钝化偶联材料，其一方面用于使半导体器件中的电介质层钝化，另一方面用于在随后的处理步骤中允许或至少促进在其上的液相金属沉积。在一个具体实例中，所述电介质层可以是具有适宜地降低的介电常数k的多孔材料，并且所述钝化偶联材料提供基本上阻挡将环境水分吸附并且吸入到所述多孔电介质层中的空间屏蔽基团。所述钝化偶联材料还提供与不存在所述钝化偶联材料的金属沉积相比，促进金属在其上以液相形式沉积的金属成核部位。使用液相金属沉积处理促进随后制造所述半导体器件。在一个实例中，所述钝化偶联材料在其化学组成中具有多个Si原子，从而适宜地增加所述材料的热稳定性。

摘要： 本发明涉及金属超薄膜、金属超薄膜的叠层体以及金属超薄膜和金属超薄膜叠层体的制备方法。本发明中的金属超薄膜或金属超薄膜的叠层体是，在导电性基材上形成电介体薄膜，该电介体薄膜的膜厚为通过该电介体薄膜显著产生金属间的隧道效应的膜厚或者构成导电性基材和金属超薄膜的金属的价电子、空穴因多体效应而受到影响的膜厚、例如该电介体的带隙变窄的膜厚，在该电介体之上通过沉积法以单原子或单分子厚度形成金属超薄膜，由此而得到。使用本发明，不会产生簇，而可以得到金属超薄膜或叠层其的膜，可应用于延长催化剂的寿命和提高集成电路的集成程度等。

摘要： 本发明实现了在生产设有基于锌保护层的扁钢产品过程中在短时间内对扁钢产品进行磷化。在此根据本发明包括至少下列在连续进程中完成的方法步骤：a)提供通过热浸涂覆在至少一侧上施加由Zn、Zn‑Al、Zn‑Mg或Zn‑Mg‑Al合金形成的金属保护层的扁钢产品；b)通过用pH为1‑3.5的酸性溶液在1‑60s的润湿持续时间内润湿该表面来至少部分地去除存在于金属保护层表面上的天然氧化物层，其中所述酸性溶液使用选自“硫酸、亚硫酸、盐酸、磷酸、亚磷酸、硝酸、甲酸、草酸、乙酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、亚硝酸、氢氟酸”的酸；c)任选地用水性冲洗溶液冲洗金属保护层的用酸性溶液润湿的表面；d)通过在金属保护层的表面上施加水性活化溶液使金属保护层的表面活化；e)通过将水性的磷化溶液施加到所述金属保护层的经活化表面上，对金属保护层的经活化表面进行磷化。

摘要： 本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，其包括：第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，围堰侧墙对应有凹槽；于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；于电容上极板上设置的导电塞层；于导电塞层上设置的第二金属层。本发明采用立体结构的MIM电容器，增加了电容上、下极板相对应的有效电极面积，提高了电容密度，可在有限的芯片面积上实现较大的电容值，满足了LCD驱动电路、RFCMOS电路等大电容集成电路的需求，适于应用于集成电路的片内电容。

摘要： 公开了一种用于铜基金属层和包括金属氧化物层与铜基金属层的层压膜的蚀刻剂组合物，以及使用该蚀刻剂组合物形成布线的方法。该蚀刻剂组合物包括：15-25wt.%的过氧化氢，0.01-1.0wt.%的含氟化合物，0.1-1.0wt.%的唑类化合物，0.5-5wt.%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物，0.5-3.0wt.%的乙醇酸，0.5-3.0wt.%的除乙醇酸之外的有机酸，0.1-2.0wt.%的硝酸、硫酸或其盐，0.001-5.0wt.%的多元醇型表面活性剂，和作为余量的水，从而具有优异的刻蚀图案的平直度，显示改进的锥形轮廓。

摘要： 本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供半导体衬底及位于半导体衬底表面的第一介质层；定义电容的下极板区域，刻蚀下极板区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出半导体衬底表面；定义电容的上极板区域，上极板区域位于下极板区域向外延伸区域，刻蚀上极板区域的第一介质层至某一深度；于下极板区域形成电容下极板；于电容下极板、上极板区域依次形成电容介质层、电容上极板。本发明还提供一种存储单元。本发明形成立体结构的MIM电容器，兼容现有半导体工艺，大大提高了电容器的单位电容，而且避免了量产中的尺寸变化或者对准漂移引起的上下极板之间的潜在短路风险，提高了可靠性。

摘要： 本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供半导体衬底及位于半导体衬底表面的第一介质层；定义电容的上极板区域，刻蚀上极板区域的第一介质层至某一深度；定义电容的下极板区域，下极板区域位于上极板区域之内，刻蚀下极板区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出半导体衬底表面；于下极板区域形成电容下极板；于电容下极板、上极板区域依次形成电容介质层、电容上极板。本发明还提供一种存储单元。本发明形成立体结构的MIM电容器，兼容现有半导体工艺，大大提高了电容器的单位电容，而且避免了量产中的尺寸变化或者对准漂移引起的上下极板之间的潜在短路风险，提高了可靠性。

摘要： 本发明提出一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法，适于应用于集成电路的片内电容，由下至上形成第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域；MIM­_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的部分连线相连，MIM­_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，降低了电容器上极板的连线阻抗，因此不再需要大面积的第二金属层来降低上极板的连线阻抗，从而节省了第二金属层的占用面积，提高了芯片面积的利用效率。

摘要： 本实用新型提出一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，由下至上包括第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域；MIM­_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的部分连线相连，MIM­_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，降低了电容器上极板的连线阻抗，因此不再需要大面积的第二金属层来降低上极板的连线阻抗，从而节省了第二金属层的占用面积，提高了芯片面积的利用效率。