屏蔽罩

摘要： 文中介绍了某台550 kV罐式断路器处于热备用状态下发生内部放电的故障情况并进行详细的原因分析。从故障发生后的诊断性试验、解体检查、电场仿真3个方面开展全面分析,分析发现放电根本原因为异物在CT罐体屏蔽罩处引起场强畸变,导致发生间隙放电。此外,文中结合断路器结构研究了不同尺寸常见金属微粒在CT罐体处不同位置对电场的影响,仿真发现在当金属微粒的高度达到2 mm时,在屏蔽罩处最容易引起放电,CT罐体处盆式绝缘子不论凹沿面朝上还是凸沿面朝上,当微粒尺寸达到一定大小时,均可能引起放电。最后,针对事故原因,提出相应的处理措施。

摘要： 漏电断路器作为低压配电系统中重要的保护装置,主要用于防止漏电火灾事故发生和保护人身触电安全。电磁式漏电断路器在受到外界磁场干扰时,会引起漏电保护工作特性的变化甚至损坏。通过分析电磁式漏电断路器工作特性,发现磁脱扣器对外界磁场最为敏感,平行于磁脱扣器磁路平面方向的外界磁场对其影响最大;进行了漏电断路器内部导体结构的最优设计,内部导体与磁脱扣器磁路在同一平面内时导体中负荷电流产生的磁场对磁脱扣器的影响最小;设计了一种用于降低磁场干扰的磁脱扣器屏蔽罩,并分析了不同导磁屏蔽材料及结构等对其屏蔽效果的影响。通过对电磁式漏电断路器内走线的优化设计和磁脱扣器的磁屏蔽设计,有效降低了外界磁场和内部负荷电流对电磁式漏电断路器的影响,提高了其抗空间磁场干扰的能力,并通过了实验验证。

摘要： 近日,国家药品监督管理局经审查,批准了佛山瑞加图医疗科技有限公司生产的“移动式头颈磁共振成像系统”的创新产品注册申请。该成像系统由永磁磁体、梯度放大器、梯度匀场线圈、射频放大器、射频发射线圈、头线圈(可选)、头颈联合线圈(可选)、谱仪、温度控制器、数字匀场单元、移动装置、屏蔽罩、病床和报警单元组成,供头部、颈部临床MRI诊断。

摘要： 分析了密集小孔多工位成形工艺,介绍了密集小孔冲压工艺难点及模具零件加工工艺优缺点,确定密集小孔凸模结构和加工精度工艺要求,优化模具凸模、凹模、凹模护套、凹模板、凸模固定座等零件的加工工艺。生产实践证明:模具结构稳定可靠,能保证零件成形质量,为此类零件的模具设计提供参考。

摘要： 在电子元件常用的屏蔽罩表面电镀Ni-Co/SiO2复合镀层,并施加超声波以强化电镀过程.研究了超声波功率对镀层中SiO2颗粒含量以及镀层表面形貌、显微结构和耐蚀性的影响.结果表明:适当提高超声波功率有利于改善镀层表面形貌,并提高镀层中SiO2颗粒含量,使镀层表现出越来越好的耐蚀性.但超声波功率超过一定范围后,镀层中SiO2含量下降,镀层表面形貌也随之变差,导致耐蚀性下降.超声波功率提高对镀层衍射峰的数量、位置以及晶格常数基本没有影响.当超声波功率为240 W时,镀层表面形貌和耐蚀性相对最好,该镀层适合应用在屏蔽罩上,有望进一步改善屏蔽罩的耐蚀性.

摘要： 针对屏蔽罩温度波动导致冷冻靶燃料冰层均匀性降低的问题,基于用户自定义函数和离散坐标辐射模型,研究了辐射环境变化时黑腔冷冻靶系统的温度场动态特性,得到套筒吸收率和封口膜透射率等参数对靶丸表面温度场稳定性、均匀性的影响规律.结果表明:屏蔽罩温度波动有两条传播路径,路径一为屏蔽罩封口膜靶丸,路径二为屏蔽罩套筒金腔氦气腔靶丸;典型工况下屏蔽罩振幅10 K的温度波动到靶丸外壁时衰减为0.85 m K,黑腔系统各表面温度振幅由大到小为靶丸外壁、套筒外壁、套筒内壁、金腔内壁;当封口膜透射率较小时减小套筒吸收率,或封口膜透射率较大时增大套筒吸收率,或减小封口膜透射率,均可显著提高靶丸表面温度场稳定性和均匀性.

摘要： 根据屏蔽罩零件四周都要折弯的特点,在级进模的最后工步采用连剪带折的复合工步,解决了该类封闭弯曲件没有可供连料位置时制件的输送问题.该模具采用压缩空气吹件,保证了制件出件顺畅.

摘要： 真空断路器分闸时产生的金属蒸汽在屏蔽罩内壁冷凝后形成金属毛刺缺陷,导致灭弧室内电场分布产生畸变,对真空灭弧室的可靠性产生不利影响.为此,以使用ZN28断路器的真空灭弧室为研究对象,建立对应的缺陷模型,研究在燃弧时因焦耳热产生的铜离子蒸汽的扩散规律,进而对存在金属毛刺缺陷时灭弧室电场的畸变情况进行分析.结果表明:在真空与电场的共同作用下,铜离子在屏蔽罩的落点主要集中在距中轴线25 mm以内的范围,概率分布曲线呈双峰形分布;当屏蔽罩内壁存在金属毛刺缺陷时,触头边缘的电场发生畸变,毛刺峰值越高,电场畸变越严重,当毛刺峰为0.25 mm时,真空灭弧室存在引起局部放电可能性.

摘要： 在高压直流断路器的结构设计中,整个设备中的场强大小和分布至关重要.在设计前期,利用仿真软件Ansoft对结构场强进行分析,发现边界条件的设置不同时,仿真结果不同.为了研究默认边界条件和实体边界条件两种情况下场强的不同之处,分别在两种情况下对高压直流断路器的屏蔽罩进行了电场强度的仿真分析.结果表明,在边界条件设置为实体边界时,电场强度的最大值较大,但两种情况下的最大场强分布位置基本相同.因此,在利用Ansoft仿真时,建议根据现场情况,边界条件设置为实体边界条件.

摘要： 本文利用Ansoft Maxwell软件对12kV无屏蔽罩真空灭弧室的电场和电位分布进行了仿真,优化结果表明该结构最大场强位于触头之间,为1.32MV/m.该结构在低成本小型化断路器中有较好应用前景.

摘要： 为了降低GIS故障率,避免典型问题重复发生,本文针对一起典型的、具体的故障案例阐述故障经过及发现的问题,分析方法及分析结果具有典型性、代表性.首先介绍故障经过、处理情况及现场检查情况,通过保护动作情况、SF6气体检测结果、故障气室检查情况,初步判断故障位置及故障初步原因,其次对故障设备解体分析,采用能谱分析及X射线衍射分析,分析故障残留物成分及物像结构,对造成本次故障的屏蔽罩结构、安装工艺进行分析.通过建模、仿真计算及实验室搭建真型实验模型,再现故障经过,在实验设备上施加工频电压,通过特高频带电检测方法检测屏蔽罩在松动情况下起始放电电压及放电量.通过从以上方面综合分析,判断本次故障由屏蔽罩脱落导致.

摘要： 为了研究屏蔽罩开启过程对惯性约束核聚变间接驱动靶系统的温度场影响,建立了冷冻靶系统数值计算模型,通过添加用户自定义函数(UDF),并激活FLUENT软件的离散坐标辐射模型,分析了屏蔽罩瞬间开启的非稳态传热过程.屏蔽罩开启瞬间,外界环境辐射直接进入黑腔,热辐射强度增加导致了黑腔内的对流换热增强,加剧了靶丸的温度场扰动,破坏了靶丸温度场的均匀性.开启速度和开启时间成为保证靶丸温度场均匀性的决定性因素.本文研究了屏蔽罩开启速度、黑腔内填充介质以及添加暴风窗措施对靶丸表面温度场的影响.结果表明:不同开启速率引起靶丸温差上升速率不同,开启速度越大,温度上升速率越大,但最终稳定温差基本相同;黑腔内填充氢氦混合气体,增大氦气的比例,靶丸表面温差上升速率减小,最终靶丸表面的稳定温度更低;黑腔内填充高热导率的气凝胶可以显著减小屏蔽罩开启过程中靶丸表面温差上升速率,使靶丸维持在较低的温度水平.添加暴风窗可使外界投入辐射被削弱,靶丸温度上升速度变慢,屏蔽罩开启后靶丸保持时间更长,稳定后温度更低,有利于冷冻靶温度场的控制.

摘要： 横向屏蔽式热电偶温度传感器在发动机气流温度测量中应用广泛。这类传感器一般用来测量气流总温,其屏蔽罩结构尺寸直接影响热接点周围的温度场和速度场,也将直接影响传感器的测温准确度。针对横向屏蔽式热电偶温度传感器的结构特点,本文从其屏蔽罩的结构设计出发,采用理论分析的方法,给出了屏蔽罩结构的最佳设计原则,从而为今后这种类传感器的优化设计提供可供参考的依据。

摘要： 研究了新型电铁27.5kV固体绝缘开关装置,从装置的主体结构、密封件搭接装配、绝缘模块表面处理、屏蔽罩、材料控制等多方面研究了其优化设计及措施,为新型绿色环保铁路电气产品,应用前景广阔.

摘要： 钻孔探地雷达的钻孔天线为360°发射、接受电磁信号的全向天线,难以分清信号具体来源.本次研究通过自行设计和研制屏蔽罩,将钻孔天线改装为可以在地面等半空间使用的定向探地雷达天线.采用屏蔽罩进行半空间观测的天线使用方法有效,屏蔽效果好,受干扰距离小于0.5m,探测信号增强,节省大量成本.

摘要： 提出了一种通过测量屏蔽罩的交流电位,即屏蔽罩上积聚的静电荷数量,来检测灭弧室真空度的新方法.研制了电容分压器式的电场探头测试静电荷产生的交流电场.该装置通过监测真空管屏蔽罩交流电位的变化来监测真空度的变化,结构简单、成本较低,克服了pockels 等光电探头的晶体元件温度不稳定的不足,测量可靠、便于安装,是一种功能比较完备的实时在线监测装置.

摘要： 提出了高压套管绝缘设计的基准；根据1100 kV特高压套管需要满足的绝缘技术参数，应用有限元数值分析计算方法对其绝缘结构进行了优化设计，优化过程中考虑了套管直径、屏蔽罩尺寸等关键因素对电场分布的影响。根据优化方案制造的1100 kV硅橡胶套管顺利地通过了绝缘型式试验。

摘要： 本文在利用有限元与宏元相结合的半解析数学模型解决开域磁场问题基础上,建立了矢量磁位poisson方程,从而进一步对磁密和损耗进行了求解.同时,以300MW汽轮发电机为例对其转子加屏蔽罩后的磁场分布,以及转子旋转时平台损耗、屏蔽罩损耗和支撑板损耗进行了计算与分析。

摘要： 本文利用实验研究了电磁成形过程中感应圈的结构以及下加屏蔽罩对熔体中温度场和电磁压力耦合关系的影响规律.发现:减小感应圈的高度可以降低作用在熔体上的热力比,提高电磁压力;下加屏蔽罩可以引起熔区高度上移,使温度场和成形力场之间产生更好的耦合.在选择了合适的感应圈结构及其与下加屏蔽罩进行了合理的配置后,获得了不锈钢、高温合金的椭圆形截面样件及板状样件.

摘要： 本文利用实验研究了电磁成形过程中感应圈的结构以及下加屏蔽罩对熔体中温度场和电磁压力耦合关系的影响规律.发现:减小感应圈的高度可以降低作用在熔体上的热力比,提高电磁压力;下加屏蔽罩可以引起熔区高度上移,使温度场和成形力场之间产生更好的耦合.在选择了合适的感应圈结构及其与下加屏蔽罩进行了合理的配置后,获得了不锈钢、高温合金的椭圆形截面样件及板状样件.

摘要： 一种屏蔽罩，包括第一盖体、第二盖体、第一框体和第二框体，所述第一盖体位于所述第一框体上方，所述第二盖体位于所述第二框体上方，所述第一盖体与所述第二盖体上设置均有若干卡扣，所述第二框体上设置有若干卡槽，该第二盖体的若干卡扣抵持于该第二框体，并间隔露出该若干卡槽，所述第一屏蔽版上的卡扣与所述卡槽卡接。本发明采用这种交叉互扣式的屏蔽板与屏蔽框结构，可有效节省电路板面积，提高电路板面积利用率。

摘要： 一种屏蔽罩，包括第一盖体、第二盖体、第一框体和第二框体，所述第一盖体位于所述第一框体上方，所述第二盖体位于所述第二框体上方，所述第一盖体与所述第二盖体上设置均有若干卡扣，所述第二框体上设置有若干卡槽，该第二盖体的若干卡扣抵持于该第二框体，并间隔露出该若干卡槽，所述第一屏蔽版上的卡扣与所述卡槽卡接。本发明采用这种交叉互扣式的屏蔽板与屏蔽框结构，可有效节省电路板面积，提高电路板面积利用率。

摘要： 本发明涉及屏蔽罩、具有该屏蔽罩的基板单元及具有该屏蔽罩的便携终端。提供一种电路基板的固定变得容易的屏蔽罩。屏蔽罩（100）包括第一侧面部（111）、第二侧面部（112）、第三侧面部（113）、第四侧面部、第一突起部（102）、第二突起部（104）。第一夹紧弹簧（210）夹持第一侧面部（111）。第一夹紧弹簧（210）的端面（211）与突起部（102）以及第二侧面部（112）对置。第二夹紧弹簧（220）夹持第三侧面部（113）。第二夹紧弹簧（220）的端面（221）与突起部（104）以及第四侧面部（114）对置。

摘要： 本发明(图1)提供了一种阴极射线管(CRT)，包括用于在悬臂边缘处支撑CRT内部的张力荫罩(10)的张力荫罩框架(20)，张力荫罩在悬臂边缘处安装在张力荫罩框架上；并且内磁屏蔽罩(50)安装在张力荫罩框架上。张力荫罩(30)和内磁屏蔽罩(50)中的至少一个具有延伸部(55、56)(图4)，该延伸部沿张力荫罩框架(20)延伸至靠近或接触张力荫罩(30)和内磁屏蔽罩(50)中的另一个的位置上，以在张力荫罩和独立于张力荫罩框架的内磁屏蔽罩之间提供磁耦合。

摘要： 本发明公开了一种屏蔽罩包装设备，包括机架台、载带放卷机构、载带收卷机构、塑封装置和平面度检测装置；平面度检测装置包括导向架、升降板、焊接面光纤检测单元、配合面检测单元、升降驱动件、送料机构、良品排出导向座和次品排出座；焊接面光纤检测单元设于导向架上所述焊接面光纤检测单元包括发射光纤和接收光纤；配合面检测单元设于升降板上并对应位于焊接面光纤检测单元的正上方；升降驱动件的输出端与升降板连接；送料机构设于导向架的一侧；良品排出导向座设于导向架相对的另一侧；次品排出座设于良品排出导向座上方；本发明实现同时进行下罩体的焊接面和配合面的平面度检测，大大提高检测效率，检测良品率高。

摘要： 本发明公开了一种高电压等级真空灭弧室用外屏蔽罩及中间屏蔽罩，所述水平段的外侧端部边沿一体延伸至上磁壳和下磁壳的外侧并形成外伸环，该外伸环连接一环形的外屏蔽罩，该外屏蔽罩遮挡所述上磁壳和下磁壳与水平段的封接处。本发明中，中屏蔽罩和外屏蔽罩之间装配简便，并且有效增大真空灭弧室外表面的爬电距离，起到了屏蔽磁壳、金属材料和空气三种介质相交面的作用，而且均衡三种介质相交面的电场分布，能有效提高高电压等级真空灭弧室外表面的绝缘性能。

摘要： 本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽罩、线路板、电子设备及电磁屏蔽罩的制备方法，其中电磁屏蔽罩包括载体层、金属层和胶膜层；所述载体层设于靠近所述金属层的一面上，所述胶膜层设于靠近所述金属层的另一面上；所述金属层具有第一收缩应力，在将所述电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，所述第一收缩应力用于提供抵抗所述金属层变形/断裂的还原力。本发明能够有效解决在将电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，容易导致金属层变形/断裂的技术问题，通过使金属层具有收缩应力，在使用过程中抵抗所述金属层变形/断裂，有效提高了金属层的延伸率，保障电磁屏蔽罩的屏蔽性能。

摘要： 本实用新型题为“包括屏蔽罩的装置、金属屏蔽罩以及屏蔽电路”。本实用新型公开了电子部件可使用屏蔽罩或覆盖电子部件的其它屏蔽结构进行屏蔽。电子部件和屏蔽结构可使用焊料或其它导电材料安装在基板诸如印刷电路板上。屏蔽结构可具有一个或多个屏蔽层。屏蔽层可包括用于屏蔽射频电磁干扰的高导电率材料和用于阻止磁通量的磁性材料。屏蔽结构可由诸如以下的材料形成：铁素体不锈钢；提高可焊性、抗腐蚀性和导电率的涂层；印刷的或以另外方式形式于金属层上的磁性材料；以及其它屏蔽结构。

摘要： 本实用新型公开了一种表面安装屏蔽罩组件，包括：至少两彼此对应的表面安装单向定位件，分别包括至少一供接触及焊接至一电路板的安装端口；至少一由安装端口朝远离安装端口方向延伸的夹臂段；至少一由夹臂段弯折延伸的横宽段，使得当安装端口被表面安装至电路板时，会在电路板的方向形成一远离夹臂段的投影；及至少一由横宽段朝向电路板方向弯折延伸至顶抵电路板的支撑段；及一受卡制定位的导电材质屏蔽罩，包括一具有至少两对彼此对应侧边的顶部；以及由顶部至少一对侧边弯折延伸，并受夹臂段卡制的受卡制部，使得导电材质屏蔽罩被可拆卸的卡制于表面安装单向定位件。此外，本实用新型还公开了一种屏蔽罩用表面安装单向定位件。

摘要： 本实用新型公开一种用于GIS断路器的屏蔽罩，包括对接部和屏蔽部，对接部和屏蔽部均为中空旋转体，屏蔽部自对接部的外圆延伸形成，屏蔽部包括异形弯曲段、第一弧形段和第二弧形段，异形弯曲段的一端自对接部延伸形成，第一弧形段的一端自异形弯曲段的另一端延伸形成，第二弧形段自第一弧形段的另一端延伸形成，对接部的下侧设置圆环状凸起部，凸起部的外侧壁、异形弯曲段的内侧壁、第一弧形段的内侧壁和第二弧形段的内侧壁共同围设形成半封闭的屏蔽空间，该结构的屏蔽罩外表面上场强分布均匀，使其绝缘裕度得以提升。