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陈裕权;
IBM; 层应变; 半导体制造商; 半导体业; 半导体材料; 电路制造; 流动电流; 芯片性能; 系统性能; 制造工艺;
机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:带硅源和漏区的绝缘体上应变硅锗锗n沟道晶体管,以提高性能
机译:含锗锗硅化物金属源极和漏极的富锗应变硅锗线三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率和驱动电流增强
机译:使用IBM 5HP硅锗异质结双极晶体管BiCMOS技术制造的预分频器的单事件翻转测试结果
机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:先进的硅,锗和锗锡晶体管的应变工程
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:使用应变硅锗层的选择性外延的互补金属氧化物半导体晶体管技术
机译:利用应变硅锗层的选择性表位的互补金属氧化物半导体晶体管技术
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