半导体业

摘要： 尽管今年全球受新冠肺炎(COVID-19)疫情打击,但并未伤害半导体业的销售成长。据世界半导体贸易组织统计(WSTS)数据,2020年全球半导体销售额预计成长3.3%,由去年的4123亿美元增至4260亿美元。美国半导体协会(SIA)引用此一数据表示,2020年5月全球半导体销售额为350亿美元,比去年的330亿美元增加5.8%,也较4月份的344亿美元上升1.5%。SIA总裁兼执行长John Neuffer表示,5月份的全球半导体销售,很大程度抵抗了疫情对整体经济的冲击,但未来几个月,销售数字仍存在很大的不确定性。他指出,最新的行业预测表明,2020年的年成长率将维持适中,并在2021年见到更大幅度的销售成长。

摘要： 9月23日消息,国际半导体产业协会(SEMI)公布最新报告指出,台湾半导体产业链在全球地位愈来愈吃重,预估2020年全球半导体业产值将年成长3.3%,台湾增幅更大、达16.7%,总产值将高达新台币3万亿元以上,创新高,超越韩国,居全球第二大,仅次于美国。SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶指出,台湾半导体业借由不断突破的技术能量,以及强大采购动能,持续带动整体产业成长,过去十年来,台湾有高达七年是全球最大半导体设备投资区域,未来十年的投资动能有望朝先进制程布局。

摘要： 半导体业的一个新样本2000年8月,上海浦东张江高科技园区迎来了一家特殊的企业52岁的张汝京筹资金,带着400多名中国台湾、美国、欧洲、韩同的优秀工程师跨洋而来,要在中国大陆建立一座芯片制造厂。这在当时是一个创举。此前,国内芯片制造主要由国家投资建厂,采用国有化体制。而中芯国际打破传统,带来了国际人才和资金,创造了一个全新的样本。

摘要： 三月以来，中国和美国的贸易摩擦愈演愈烈。近日，中兴案又有新进展，美国商务部宣布禁止美国公司在未来几年内将芯片、半导体元器件和软件销售给中兴。这一举措无疑给了中国半导体业重大鞭策：今天美国能针对中兴禁售，明天就有可能针对华为禁售，那么一旦美国全面封锁对中国的芯片销售，中国半导体业如何能填补其中的空白？

摘要： 与其他行业不同，半导体业一直以来都具有“高投入”的特点。半导体专家莫大康表示：“全球半导体资本支出呈现逐年增长趋势，尤其是2017年至2019年。2017年全球半导体总投资达到700亿美元左右。2018年则继续上涨。”但是，莫大康也表示，1000亿美元的资本支出预测，是否真能达到还有待考察。

摘要： 前几年,半导体业总产值超过了3000亿美元,过去一直徘徊在3%左右的年均增长率,EDA约是6%的增长速率。但2017年,半导体业突然有22%蹿升,目前行业产值即将突破4000亿美元。在近期举行的Mentor Forum 2018(Mentor技术论坛)上,Mentor总裁兼CEO Walden C.Rhines先生分享了他对半导体设计行业的观察,分析了三大原因导致了半导体业设计不断加快,并认为半导体业还有20年的增速发展期。

摘要： 近期，上海华虹（集团）有限公司（华虹集团）在江苏无锡举办“新时代、芯征程”华虹集团2018技术研讨会暨华虹半导体（无锡）有限公司一期工程桩基工程启动仪式，以华虹无锡基地项目建设为契机，集聚半导体业界智慧，共商华虹技术发展，服务长三角经济一体化战略在集成电路领域的推进落实。

摘要： 全球半导体业界固然因物联网（IoT）、车用电子发展带动需求，但考量到目前已可预见的几个情况，半导体产业恐将在2017年的巅峰后开始衰退。

摘要： 全球半导体市场逐步回暖,我国集成电路产业稳中有进：半导体市场在经历了2015年的-0.2%负增长后,2016年全球半导体市场开始出现复苏势头,全年销售额达3389亿美元,同比增长了1.1%。智能手机以及一些新业态新模式新产品如虚拟现实、可穿戴等智能硬件产品快速崛起,对半导体市场形成较大支撑。

摘要： 2014年，江苏长电科技以蛇吞象的气魄一举并购丁全球第四大封装测试企业星科金朋，创造了业界神话。然而，更大的传奇则来自于事件的操盘者——长电科技股份有限公司的创始人、公司董事长王新潮。

摘要： 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。