芯片制造

摘要： 工艺是一个国家的基础,也是一个企业迈向世界一流不可逾越的重要工程理论与创新工作。判断一个高端装备制造企业的水平高低,不是看它买了多少进口设备、实现了多高的自动化水平,而是看它有什么样的工艺思想、工艺设计、工艺创新能力。什么是工艺?简单一句话理解,我认为工艺实际就是一种设计工程艺术,能否造出好的产品,工艺是最核心的。我们国家现在不缺设计人员、研发人员,最缺的是工艺、工匠高端人才。芯片设计不难,但是转化为芯片制造非常难,我们的产品设计也不难,但转化成产品工艺制造一致性,可以说是难上加难。

摘要： 2月21日晚间,士兰微发布公告,士兰微拟携手大基金二期出资8.85亿元,加码芯片制造,推动12时线建设和运营。这段时间以来,厦门多个重点项目传来新消息,多家厦企赴外地投资也有新动作。

摘要： 该IPC报告对全球半导体和先进封装生态系统进行了全面分析,发现北美陷入了令人担忧的困境:他们可以设计最尖端的电子产品,但无法制造。北美在全球先进半导体芯片封装生产中的份额仅为3%,PCB产量仅占全球4%,几乎没有能力生产先进的IC载板。半导体制造有三个主要部分:芯片制造、载板制造和封装测试。美国在加强半导体制造投资的同时迫切需要投资IC载板,应加强包括PCB和PCBA的整个电子制造生态系统。

摘要： 欧盟:出台《芯片法案》提升全球竞争力2月8日,欧盟委员会出台《芯片法案》(以下简称:《法案》),旨在确保欧盟在半导体技术和应用领域的竞争优势及芯片供应安全。《法案》提出,增加对芯片领域的投资。到2030年,共计投入约450亿欧元,用于支持芯片生产、试点项目和初创企业,最重要的是建设大型芯片制造工厂,以实现将欧盟在全球芯片生产的份额从目前的10%增加至20%,并能生产2纳米及以下的芯片。目前,欧盟的技术工艺是生产5纳米芯片。

摘要： 结合半导体芯片产业的发展现状,介绍了芯片制造的主要工艺流程和电网干扰对芯片制造工厂的影响。重点对应急电源进行分类与比较,并就应急电源在芯片工厂的应用给出工程实例,给广大工程技术人员在进行芯片厂房建厂时,提供了新的解决方案。

摘要： 中国半导体产业教父有了新动向。一手创办世大半导体、中芯国际、新昇半导体、青岛芯恩的张汝京,其举动与选择,被视为行业风向标。今年年初,张汝京出任积塔半导体的执行董事。好奇者不在少数,这家公司凭什么能吸引到张汝京?积塔半导体成立于2017年,员工超过2600人,团队拥有超过30年的车规级芯片制造质量管理和规模量产经验,是新能源汽车芯片的主要供应商之一。

摘要： 芯片自给的核心,在于芯片制造及其关键设备、尖端材料和核心工艺。中国只有在整个芯片工业崛起的基础上才能实现彻底的芯片自给,芯片自由不能只靠点的突破,需要全盘谋划,全面破局。美国商务部发布最终规定,对设计GAAFET(全栅场效应晶体管)结构集成电路所必须的EDA(电子设计自动化,Electronic design automation缩写:EDA)软件;金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料。

摘要： 拜登正式签署芯片法案8月9日,美国总统拜登在白宫签署《芯片和科学法案》。该法案将为美国半导体生产和研发提供巨额补贴,希望以此推动芯片制造产业落地美国,加强美国在科技领域的全球竞争力。白宫当天发布声明称,该法案将为美国半导体研发、制造以及劳动力发展提供527亿美元。

摘要： 0前言随着人们对芯片电镀技术的认识水平的不断提高,电镀添加剂正重新成为电镀行业的研究热点之一.这或许是“芯片危机”引发的一个插曲,但却真实反映出了电镀添加剂在芯片制造中的重要性。如果将整个芯片制造的产业链看作是一场宏大的交响乐表演,那电镀添加剂就是这场表演中十分重要的一节。

摘要： 随着美国对华禁令的升级,华为公司面临着“无芯可用”的困境。而“芯”指的就是“芯片”。芯片制造,“光刻机”是绕不开的终极神器。可以说,没有光刻机就没有芯片。若干年来,依赖无数人才的奋力追赶,中国的芯片设计和制作工艺,发展得并不慢。芯片之难,实则难于芯片制造。

摘要： 本文阐述了LED芯片的制造技术,包括红、绿、蓝三基色发光二极管的外延生长以及芯片制造的过程,同时还就如何提高芯片的发光效率进行了讨论.

摘要： 随着信息技术的发展，电子产品的心脏--芯片的应用越来越广泛，发展速度沿着“摩尔定律”的路线不断向深层次延伸到各个领域。虽然近年我国芯片制造技术在蓬勃发展，但在高精尖领域仍然依赖进口，芯片的价值有时占据产品成本的一半以上，由此带来的成本和交期的制约，在军用领域尤显明显，使高端芯片的应用成为重点关注的对象，由于制造工艺的局限性，芯片的原有封装失效会导致可焊性破坏从而报废，给持续生产和品质保证带来麻烦，在现阶段如何用快速、可靠、经济的方法恢复可焊性，从而避免报废，保证生产，始终是业内的一个绕不开的话题。rn 本文就如何从成本、工艺、品质、效率的角度考虑恢复芯片的可焊性进行了简要论述。

摘要： 芯片制造工艺水平的提高以及芯片工作频率的提高,使得电子电路呈现出高速效应.分别论述了高速电路产生的原因、高速电路的界定、高速电路设计中需要解决的主要问题,以及后仿真技术.以Mentor公司的高速电路后仿真软件ICX的操作流程为例,介绍了后仿真技术在高速电子电路设计中的作用和意义。

摘要： 三维(3D)叠层封装是把多个芯片在垂直方向上累叠起来，利用传统的引线封装结构，然后再进行封装。分为以下几类：以芯片内功能层基础、逐层内建连接的片上3D集成，由芯片到芯片堆叠所形成的3D叠层封装、或由封装到封装堆叠所形成的3D叠层封装，以及通过硅通孔技术实现裸片到裸片互连的3D集成等。在所有的3D封装技术中，TSV能实现最短、最丰富的z方向互连。通过介绍三维叠层封装中TSV技术的研究与开发现状,讨论了TSV关键技术主要有导孔的蚀刻，导孔的填充，导孔的工艺顺序，超薄晶圆的处理，晶圆／芯片堆叠、接合与切片技术，检测技术，以及可靠性，并对其面临的挑战进行了分析。

摘要： 三维(3D)叠层封装是把多个芯片在垂直方向上累叠起来，利用传统的引线封装结构，然后再进行封装。分为以下几类：以芯片内功能层基础、逐层内建连接的片上3D集成，由芯片到芯片堆叠所形成的3D叠层封装、或由封装到封装堆叠所形成的3D叠层封装，以及通过硅通孔技术实现裸片到裸片互连的3D集成等。在所有的3D封装技术中，TSV能实现最短、最丰富的z方向互连。通过介绍三维叠层封装中TSV技术的研究与开发现状,讨论了TSV关键技术主要有导孔的蚀刻，导孔的填充，导孔的工艺顺序，超薄晶圆的处理，晶圆／芯片堆叠、接合与切片技术，检测技术，以及可靠性，并对其面临的挑战进行了分析。

摘要： 三维(3D)叠层封装是把多个芯片在垂直方向上累叠起来，利用传统的引线封装结构，然后再进行封装。分为以下几类：以芯片内功能层基础、逐层内建连接的片上3D集成，由芯片到芯片堆叠所形成的3D叠层封装、或由封装到封装堆叠所形成的3D叠层封装，以及通过硅通孔技术实现裸片到裸片互连的3D集成等。在所有的3D封装技术中，TSV能实现最短、最丰富的z方向互连。通过介绍三维叠层封装中TSV技术的研究与开发现状,讨论了TSV关键技术主要有导孔的蚀刻，导孔的填充，导孔的工艺顺序，超薄晶圆的处理，晶圆／芯片堆叠、接合与切片技术，检测技术，以及可靠性，并对其面临的挑战进行了分析。

摘要： X射线检测设备是检测功率芯片焊后焊透率的有效手段。本文介绍了提高X射线设备检测水平的方法。X射线检测设备自动计算的焊透率为连续型数据，采用6西格玛方法处理上述数据，可以对X射线检测设备进行测量系统分析。试验结果表明：不同的数据类型应选用不同的测量系统分析方法， Gage R&R分析能够准确分析出引起测量误差或者测量系统的波动的主要来源，根据波动来源对测量系统进行改进及完善，可以大大提高X射线检测设备的精确度。

摘要： X射线检测设备是检测功率芯片焊后焊透率的有效手段。本文介绍了提高X射线设备检测水平的方法。X射线检测设备自动计算的焊透率为连续型数据，采用6西格玛方法处理上述数据，可以对X射线检测设备进行测量系统分析。试验结果表明：不同的数据类型应选用不同的测量系统分析方法， Gage R&R分析能够准确分析出引起测量误差或者测量系统的波动的主要来源，根据波动来源对测量系统进行改进及完善，可以大大提高X射线检测设备的精确度。

摘要： X射线检测设备是检测功率芯片焊后焊透率的有效手段。本文介绍了提高X射线设备检测水平的方法。X射线检测设备自动计算的焊透率为连续型数据，采用6西格玛方法处理上述数据，可以对X射线检测设备进行测量系统分析。试验结果表明：不同的数据类型应选用不同的测量系统分析方法， Gage R&R分析能够准确分析出引起测量误差或者测量系统的波动的主要来源，根据波动来源对测量系统进行改进及完善，可以大大提高X射线检测设备的精确度。

摘要： X射线检测设备是检测功率芯片焊后焊透率的有效手段。本文介绍了提高X射线设备检测水平的方法。X射线检测设备自动计算的焊透率为连续型数据，采用6西格玛方法处理上述数据，可以对X射线检测设备进行测量系统分析。试验结果表明：不同的数据类型应选用不同的测量系统分析方法， Gage R&R分析能够准确分析出引起测量误差或者测量系统的波动的主要来源，根据波动来源对测量系统进行改进及完善，可以大大提高X射线检测设备的精确度。

摘要： 本发明提供一种生物芯片用基板，其具备：能在表面上导入多个羟基的基体；配置在基体上、设有达到基体的多个孔的金属系膜；配置在金属系膜上的交联性高分子膜。

摘要： 一种IC芯片，具有一个前表面和一个与前表面相对的后表面，包括：用于薄膜磁头元件的电路、形成在前表面上的电路连接端子，以及一个形成在后表面的至少一部分上的保护层。

摘要： 本发明涉及用于制造芯片卡模块的半成品（11）以及用于制造这样的半成品（11）的方法和用于制造芯片卡（32）的方法，其中该半成品（11）由衬底（12）和/或补偿层（24）组成，该衬底和该补偿层通过附着相互连接，该附着包括至少两个附着位置（28）。

摘要： 本发明涉及一种芯片卡模块，该芯片卡模块能够包括载体，该载体具有第一主表面和与第一主表面对置的第二主表面，其中，该载体能够具有至少一个金属化通孔。该芯片卡模块还能够包括具有多个电触点的接触域，该接触域被设置在载体的第一主表面之上，其中，多个电触点中的至少一个电触点能够与金属化通孔电连接。以及芯片，该芯片被设置在第二主表面之上，其中，该芯片借助于金属化通孔能够与多个电触点中的至少一个电触点电耦合，以及至少一个光电组件，该至少一个光电组件被设置在第二主表面之上并且与芯片导电连接。

摘要： 本发明提供一种生物芯片用基板，其具备：能在表面上导入多个羟基的基体；配置在基体上、设有达到基体的多个孔的金属系膜；配置在金属系膜上的交联性高分子膜。

摘要： 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了该芯片(13)的热电转换组件的制造方法。所述热电转换材料的芯片的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(2)的工序；(B)在所述工序(A)中得到的所述牺牲层上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(C)对所述工序(B)中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(D)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序。所述热电转换组件的制造方法中使用了上述热电转换材料的芯片的制造方法得到的芯片。

摘要： 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序；(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序；(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。

摘要： 本发明涉及用于制造芯片卡模块的半成品（11）以及用于制造这样的半成品（11）的方法和用于制造芯片卡（32）的方法，其中该半成品（11）由衬底（12）和/或补偿层（24）组成，该衬底和该补偿层通过附着相互连接，该附着包括至少两个附着位置（28）。

摘要： 本发明提供一种能在保持生物材料的反应性的状态下含有比以往更多量的生物材料的生物材料结构体，该结构体是通过使生物材料和能与该生物材料结合的化合物结合，并使粒径为10μm以下的粒状块相互结合而制成的。

摘要： 抑制荧光测定中的光学噪声。特征在于，荧光测定用的生物芯片(110)具备：透明基板(111)；多个微透镜(112)，它们分散形成于透明基板(111)的第1面(111a)；多个凸起部(113)，它们在透明基板(111)的第2面(111b)以与微透镜(112)一对一对应的方式形成；以及荧光测定用的位点(114)，其形成于凸起部(113)的顶部。