半导体设备

摘要： 截至2022年1月21日,半导体设备龙头北方华创(002371.SZ)的市值较去年11月巅峰的2375亿元蒸发了800多亿;其股价亦回落至294.29元,距高点大跌了近35%,去年参与定增的机构包括国家大基金二期、嘉实基金、广发基金等均已处于浮亏状态。

摘要： 阐述晶圆制造设备与半导体设备行业的发展,探讨中国晶圆制造设备行业的现状,面临困局与问题,提出应对的破局之策。

摘要： 以2020年半导体设备行业19家上市公司为样本,构建盈利能力、偿债能力、营运能力和成长能力4个层面合计12个指标的成长性评价指标体系,运用因子分析法对半导体设备上市公司的成长性进行评价。实证结果表明,中国半导体设备行业上市公司成长性整体水平较高。

摘要： 估值向龙头看齐。2月26日,半导体测试设备公司华峰测控(688200.SH)发布2021年报,公司2021年业绩高增,实现营收8.78亿元,同比增加121%;实现归母净利润4.39亿元,同比增加120%。作为国内最早进入半导体测试设备行业的企业之一,华峰测控目前已经成长为国内头部的半导体测试系统本土供应商,旗下产品在模拟及混合信号类集成电路测试方面国内领先。

摘要： 日前,佳能宣布将在日本东部建造一座新的半导体设备工厂。据悉,新工厂将建在枥木县,将于2025年春季开始投产。投资总额将超过500亿日元(约24.57亿元人民币),包括建筑成本和生产设备的安装,该公司的目标是将其目前的产能提高一倍。此外,佳能还考虑生产能以低成本打造先进精细电路的下一代系统。

摘要： 10月,北京一家半导体设备公司,将迎来自己的21岁生日。这家名为北方华创的公司,目前市值1500亿元,是半导体产业上游的巨头。半导体设备,是整个行业的关键环节,具有高壁垒、长积累、跨学科的特点。短期砸钱造不出奇迹。

摘要： 近日,为应对半导体设备人力供需失衡的挑战,晶圆代工厂商联电在中国台湾地区南科晶圆12A厂P5厂区设立的半导体设备学院正式开幕。机台设备是半导体生产的基石,联电共同总经理简山杰表示,随着公司持续扩产、新机台进驻,对半导体设备工程师的需求日益增加。联电表示,预计1年内完成600位设备工程师培训,并从2023年推广至联电其他厂区。

摘要： 在今年的政府工作报告中"优化和稳定产业链供应链"被列为重点工作之一。报告强调,要增强产业链供应链自主可控能力,实施好产业基础再造工程。其中,报告提及的"基础再造工程",涵盖了底层芯片元器件、材料、半导体设备及管件零部件、芯片制造的攻关工程。

摘要： 2020年半导体行业面临最严峻的问题就是缺货,而且是非常缺,众所周知,半导体上游的硅片、光刻胶、特殊气体以及一些半导体设备等,基本都掌握在欧美日企业的手中,而全球疫情只有中国大陆在短时间内控制住,因此对半导体全产业链造成了极大的影响,代工厂停产减产的事情时有发生,而下游需求的突然兴起,对芯片的需求量急速上升,一减一增让半导体产品短缺非常严重。

摘要： 随着国际贸易摩擦持续升温,2021年全球受到第二波疫情的影响,国内疫情得到有效控制,行业内企业集成电路设备和太阳能电池设备在市场推动下,将保持持续增长,预计2021年中国主要半导体设备制造商销售收入将达300亿元左右,同比增长23%左右。(1)2021年在中国大陆本土集成电路制造商的扩产提速的推动下,国产集成电路设备将在2021年里将保持较快增长,预计2021年将增长38%,销售收入达到130亿元左右。

摘要： 半导体晶圆生产设备是电子工业设备中最精密要求最高的设备之一，高效率高质量的管理半导体设备是提高生产率保证半导体产品质量的最有效手段。从半导体厂建厂初期的设备安装、调试和试运行，到生产过程中的保养、维修以及更新，以及与其他生产部门的配合与联系，都需要一套标准化的作业流程来管理和指导，以使设备达到最佳运行状态来保障生产，提高生产效率。

摘要： 半导体集成电路的生产制造向300mm晶圆的方向发展,对半导体设备的工艺控制、物料传输,设备管理和生产调度都有着更进一步的需求。本文通过分析了半导体制造流程和控制要求,阐述了半导体设备控制中的SEMI标准模型,并探讨了这一领域进一步研究的发展方向。

摘要： 分析了我国半导体设备业现状及市场机遇,提出了突破国产半导体设备"零"市场的几项措施及近期和中远期发展目标.

摘要： 目前一个庞大的半导体设备产业,支撑着快速发展并走向极限的半导体产业.在进入新千年的时候,半导体技术即将跨越特征线宽100nm技术节点的时候,半导体设备厂商已在积极进行研发,赶在大生产来临之前提供商品化产品.本文就一些关键问题作一介绍.

摘要： 为了降低半导体设备中的真空系统的成本、实现高真空获得设备的清洁化、简单化和微型化，人们一直在寻求能达到高真空并且直排大气的干式真空泵。近几年，国外已经出现了仅用一台泵就可以实现从高真空到大气的全部抽气过程的高真空直排大气干泵，并实现了商业化，已经应用于实际生产中。rn 本文以其中具有代表性的英国BOC Edwards公司的EPX干泵和德国Pfeiffer Vacuum公司的OnTool干泵为例，简单介绍了其原理、结构、性能，为国内从事真空应用和干泵研发人员提供参考和启示。

摘要： 目前，工业加工选用固体激光器的主要原因是这种激光器采用光纠输出激光能量。在目前各种工业应用中，依然依靠灯泵浦Nd:YAG激光器以确保有4.5KW的输出功率传输到被加工工件上。在材料加工中，目前一种具有可编程聚焦光学系统的二极管泵浦4.5kW薄盘形激光器开辟了许多新的应用领域。泵浦这类薄盘形激光器要求使用高可靠性能的大功率二极管激光器，而这种高可靠性能只有通过现代化自动控制半导体设备来实现。本文介绍了轴快流、扩散冷却式CO2激光器系统、大功率固体激光器、大功率二极管激光器等工业大功率激光器，并就其最新进展进行综述。

摘要： 削剪是一种用删除元件来解决问题或改善系统的方法.99％的工程师习惯上使用"+"或"换"的方法解决问题,借由将元件添加到现有的系统或替换元件的方式解决问题.削剪则使用"-"的方法来解决问题.本文提出了系统化自系统中删除元件以解决问题,而没有任何功能上之损失.本研究所建立削剪过程的理论符合萃思的问题解题模型;2回路递回削剪的演译法可以最大化削剪效果;削剪规划的概念,展示并引导整个削剪过程:包含削剪规则的使用、削剪工项的条列、削剪议题的点出、及削剪方法和削剪模型的推导.本研究并以半导体制造设备,制程中所发生的实际问题来执行并验证此削剪理论.本方法让该系统在削剪后,系统零组件数从18项减少到3项,并永久地解决了原设备问题,削减了95％以上的的元件成本,比现有技术节省99％的运作能源.本研究产生的全新设计已转换成一申请审查中之专利.本文的贡献包括:1)建立一个基于萃思的系统化削剪的理论和流程,其中含削剪计划和递回削剪演算法等,可以系统化地削减产品元件、强化或维持原功能、并解决系统原有问题;2)解决了实务上某特定设备制程失效的问题,达到减少巨幅元件成本和能源使用;3)展示了一个运用资源的削剪方式.

摘要： 削剪是一种用删除元件来解决问题或改善系统的方法.99％的工程师习惯上使用"+"或"换"的方法解决问题,借由将元件添加到现有的系统或替换元件的方式解决问题.削剪则使用"-"的方法来解决问题.本文提出了系统化自系统中删除元件以解决问题,而没有任何功能上之损失.本研究所建立削剪过程的理论符合萃思的问题解题模型;2回路递回削剪的演译法可以最大化削剪效果;削剪规划的概念,展示并引导整个削剪过程:包含削剪规则的使用、削剪工项的条列、削剪议题的点出、及削剪方法和削剪模型的推导.本研究并以半导体制造设备,制程中所发生的实际问题来执行并验证此削剪理论.本方法让该系统在削剪后,系统零组件数从18项减少到3项,并永久地解决了原设备问题,削减了95％以上的的元件成本,比现有技术节省99％的运作能源.本研究产生的全新设计已转换成一申请审查中之专利.本文的贡献包括:1)建立一个基于萃思的系统化削剪的理论和流程,其中含削剪计划和递回削剪演算法等,可以系统化地削减产品元件、强化或维持原功能、并解决系统原有问题;2)解决了实务上某特定设备制程失效的问题,达到减少巨幅元件成本和能源使用;3)展示了一个运用资源的削剪方式.

摘要： 削剪是一种用删除元件来解决问题或改善系统的方法.99％的工程师习惯上使用"+"或"换"的方法解决问题,借由将元件添加到现有的系统或替换元件的方式解决问题.削剪则使用"-"的方法来解决问题.本文提出了系统化自系统中删除元件以解决问题,而没有任何功能上之损失.本研究所建立削剪过程的理论符合萃思的问题解题模型;2回路递回削剪的演译法可以最大化削剪效果;削剪规划的概念,展示并引导整个削剪过程:包含削剪规则的使用、削剪工项的条列、削剪议题的点出、及削剪方法和削剪模型的推导.本研究并以半导体制造设备,制程中所发生的实际问题来执行并验证此削剪理论.本方法让该系统在削剪后,系统零组件数从18项减少到3项,并永久地解决了原设备问题,削减了95％以上的的元件成本,比现有技术节省99％的运作能源.本研究产生的全新设计已转换成一申请审查中之专利.本文的贡献包括:1)建立一个基于萃思的系统化削剪的理论和流程,其中含削剪计划和递回削剪演算法等,可以系统化地削减产品元件、强化或维持原功能、并解决系统原有问题;2)解决了实务上某特定设备制程失效的问题,达到减少巨幅元件成本和能源使用;3)展示了一个运用资源的削剪方式.

摘要： 削剪是一种用删除元件来解决问题或改善系统的方法.99％的工程师习惯上使用"+"或"换"的方法解决问题,借由将元件添加到现有的系统或替换元件的方式解决问题.削剪则使用"-"的方法来解决问题.本文提出了系统化自系统中删除元件以解决问题,而没有任何功能上之损失.本研究所建立削剪过程的理论符合萃思的问题解题模型;2回路递回削剪的演译法可以最大化削剪效果;削剪规划的概念,展示并引导整个削剪过程:包含削剪规则的使用、削剪工项的条列、削剪议题的点出、及削剪方法和削剪模型的推导.本研究并以半导体制造设备,制程中所发生的实际问题来执行并验证此削剪理论.本方法让该系统在削剪后,系统零组件数从18项减少到3项,并永久地解决了原设备问题,削减了95％以上的的元件成本,比现有技术节省99％的运作能源.本研究产生的全新设计已转换成一申请审查中之专利.本文的贡献包括:1)建立一个基于萃思的系统化削剪的理论和流程,其中含削剪计划和递回削剪演算法等,可以系统化地削减产品元件、强化或维持原功能、并解决系统原有问题;2)解决了实务上某特定设备制程失效的问题,达到减少巨幅元件成本和能源使用;3)展示了一个运用资源的削剪方式.

摘要： 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

摘要： 半导体基板(1)具有石墨基板(2)和由硅形成的半导体层(4)，该石墨基板(2)具有耐热性并且针对外力具有挠性，该半导体层(4)设置在所述石墨基板上。

摘要： 提供能够提高从半导体芯片的散热性的半导体封装件。模块基板具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，设置了多个凸块的半导体芯片经由凸块安装于模块基板的上表面。模块基板包含配置于下表面以及内层的至少一方的第一金属膜。第一金属膜与凸块电连接，并且到达模块基板的侧面。金属部件的顶面部以模块基板的上表面为高度的基准配置在比半导体芯片高的位置。顶面部在俯视时包含半导体芯片。金属部件具有从顶面部朝向模块基板延伸的侧面部。侧面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。

摘要： 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。

摘要： 本发明提供经封装的半导体组件、用于封装半导体装置的设备、封装半导体装置的方法和制造用于封装半导体装置的设备的方法。用于封装半导体装置的设备的一个实施例包含第一板，其具有前侧、后侧、裸片触点的阵列、电耦合到所述裸片触点的第一后侧端子的阵列、第二后侧端子的阵列以及多个个别封装区域，所述封装区域具有所述裸片触点的阵列、所述第一后侧端子的阵列和所述第二后侧端子的阵列。所述设备进一步包括第二板，其具有层压到所述第一板的所述前侧的第一侧、第二侧、界定裸片空腔的与个别封装区域对准的穿过所述第二板的开口以及所述第二侧处的前触点的阵列，所述前触点通过延伸穿过所述第一板和所述第二板的互连件而电耦合到所述第二后侧端子。

摘要： 本发明提供具有结晶性高的半导体层的半导体基板。所述半导体基板为：具备石墨层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于该石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面；具备表面具有石墨层的基板、缓冲层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述缓冲层设置于所述石墨层的表面上、以所述石墨层的表面作为生长面，所述半导体层设置于所述缓冲层上、以所述缓冲层的表面作为生长面。

摘要： 一种半导体装置，包括布线板以及倒装安装在布线板上的芯片状半导体元件，其中，在芯片状半导体元件的面对布线板的一侧的表面上提供多个焊料凸块和多个包括绝缘材料的突起，并且芯片状半导体元件被布置成在具有粘度随温度升高而降低的特性的底部填充材料被涂布到布线板的状态下通过底部填充材料面对布线板，然后经受回流处理以被倒装安装在布线板上。

摘要： 半导体基板(1)具有石墨基板(2)和由硅形成的半导体层(4)，该石墨基板(2)具有耐热性并且针对外力具有挠性，该半导体层(4)设置在所述石墨基板上。

摘要： 根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤：将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上；将芯片32安装在焊料31上；用热板33熔化焊料31，以将芯片32接合到引线框30；用接合导线34来配线；将引线框30倒置；将倒置的引线框30放置到加热台35上；涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36；将电子部件37安装在焊料36上；以及，用加热台35来熔化焊料36，以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分的引线框的两表面上，而不经过复杂的制造步骤。

摘要： 根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤：将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上；将芯片32安装在焊料31上；用热板33熔化焊料31，以将芯片32接合到引线框30；用接合导线34来配线；将引线框30倒置；将倒置的引线框30放置到加热台35上；涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36；将电子部件37安装在焊料36上；以及，用加热台35来熔化焊料36，以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分的引线框的两表面上，而不经过复杂的制造步骤。