半导体制造

摘要： 美智库信息技术与创新基金会(ITIF)于2021年11月发布题为《每况愈下?为保持生物制药竞争力,美国必须从其半导体产业错误中吸取教训》(Going,Going,Gone?To Stay Competitive in Biopharmaceuticals,America Must Learn From Its Semiconductor Mistakes)的报告。报告剖析了美半导体产业的发展历程和衰落原因,认为美国开创了半导体产业,但却在过去30年间逐步丧失了70%的半导体制造能力。

摘要： 1背景随着美国对中国芯片行业的商业制裁,中国政府大力推动本土半导体制造行业的发展,中国的半导体制造行业存在着不断增长的利润空间。为了提高国内半导体制造产线数据收集、分析、管理和智能排产等能力,半导体制造规范化并与国际标准接轨成为必需。SEMI(国际半导体产业协会)为半导体制造设备提供了完整的SECS/GEM协议标准。该协议因具有降低设备集成成本,适用于所有制造设备,可以支持无数的应用程序,而获得业界的大力支持。很多国际半导体巨头,如三星、英特尔、东芝等九十年代就开始使用SECS/GEM为基础的全自动化产品。中国企业的SECS/GEM产品需求也在国产化的大环境下在逐年上升。

摘要： 半导体制造工厂需要消耗大量电力来支持其设施运行和制造过程。大型工厂每小时可消耗高达100 MW时电力,相当于一个普通家庭17年左右的耗电量,超过了许多炼油厂和汽车制造厂的耗电量。随着产量增加以及过程复杂性提高,电力消耗会持续增加。例如,最新的极紫外光刻技术的耗电量是从前的10倍。

摘要： 该IPC报告对全球半导体和先进封装生态系统进行了全面分析,发现北美陷入了令人担忧的困境:他们可以设计最尖端的电子产品,但无法制造。北美在全球先进半导体芯片封装生产中的份额仅为3%,PCB产量仅占全球4%,几乎没有能力生产先进的IC载板。半导体制造有三个主要部分:芯片制造、载板制造和封装测试。美国在加强半导体制造投资的同时迫切需要投资IC载板,应加强包括PCB和PCBA的整个电子制造生态系统。

摘要： 近日,士兰微发布董事会决议公告,为进一步提升公司在特殊封装工艺产品领域的综合竞争优势,满足日益增长的市场需求,公司拟通过控股子公司成都士兰半导体制造有限公司(下称“成都士兰”)投资建设“年产720万块汽车级功率模块封装项目”。

摘要： 东南大学孙立涛教授团队及合作者在可视化原子尺度制造原理及工艺方面取得进展。相关研究成果以Solid-liquid-gas reaction accelerated by gas molecule tunneling-like effect为题,于2022年5月26日发表在《自然·材料》(Nature Materials)期刊上。湿法刻蚀广泛应用于半导体制造等重要领域,但湿法刻蚀方向选择性有限,很难得到尺寸精确可控的微纳结构。而当前7 nm、5 nm等先进晶体管器件对于内部金属、半导体和介电层等结构的几何尺寸具有亚纳米级的严苛精度要求。

摘要： 张玉卓赴北京市经济技术开发区、中国电科四十五所调研7月22日,中国科协党组书记、分管日常工作副主席、书记处第一书记张玉卓赴北京市经济技术开发区和中国电科四十五所调研。中国电科董事、党组副书记李守武,副总经理何松,北京经开区管委会副主任刘力分别陪同调研。张玉卓先后参观了北京经开区亦庄新城规划展、改革创新展和中国电科集成电路核心装备成果展、集成电路核心装备产业化装配现场、光刻机整机调试现场和光刻机装配调试净化间,深入了解了北京经开区的发展状况、半导体制造关键设备的研发情况和国产光刻机产业的发展脉络。调研中,张玉卓一行就北京经开区党建工作与发展规划、半导体制造的电子元件设备、分子束外延生长系统等方面与一线科技工作者进行深入交流。

摘要： 产业政策青州打造全球领先的氮化镓功率器件IDM企业随着手机快充在日常生活的普及应用,快充的核心芯片材料--氮化镓,逐渐走入人们视野。在青州,由赛微电子主导投资设立的专注于氮化镓半导体制造的青州聚能国际半导体制造有限公司,也开始被更多人所了解。

摘要： 张玉卓赴北京市经济技术开发区、中国电科四十五所调研,7月22日,中国科协党组书记、分管日常工作副主席、书记处第一书记张玉卓赴北京市经济技术开发区和中国电科四十五所调研。中国电科董事、党组副书记李守武,副总经理何松,北京经开区管委会副主任刘力分别陪同调研。张玉卓先后参观了北京经开区亦庄新城规划展、改革创新展和中国电科集成电路核心装备成果展、集成电路核心装备产业化装配现场、光刻机整机调试现场和光刻机装配调试净化间,深入了解了北京经开区的发展状况、半导体制造关键设备的研发情况和国产光刻机产业的发展脉络。

摘要： 研究移动MBS系统在半导体制造中的应用,目的是通过移动MBS系统与半导体制造实践结合,加快半导体制造业信息化步伐。文章阐述了移动MES系统介绍、半导体制造的特点及业务流程总结,科学制定半导体制造环节移动MBS系统应用措施。研究结果表明,移动MES系统凭借多功能优势在半导体制造环节显现,能够提高半导体制造有效性,为移动MBS系统与半导体制造实践结合提供理论指导。

摘要： 针对半导体制造可重入式生产流水线的大规模调度优化问题,提出了一种改进的混合遗传算法.在计算适应值的过程中利用信息素算法的正反馈机制,解决工件在重入环节的竞争问题.并将禁忌搜索算法中独有的记忆功能引入到遗传算法的交叉与变异的进化过程中,可以有效的避免算法早熟和迂回搜索.通过实例仿真,表明改进后的算法相比于普通的遗传算法不仅有较强的收敛性,并且具有更快的寻优功能,是解决复杂调度问题的有效算法.

摘要： 在深入了解半导体制造过程的基础上,为了有效分析半导体生产线调度与控制性能,提出了有色赋时Petri网的半导体生产线建模方法。该模型,根据生产线所存在主要调度子问题及其之间的相互关系,将半导体生产线划分为投料控制模块、路径调度模块和工件调度模块,这样可以有效降低模型的复杂性和提高模型的可重用性.建立以一个拥有3个工作中心、6台设备的半导体生产线Petri网模型,并对模型进行分析。最后指出了下一步的工作目标.

摘要： 在半导体制造过程中,接把半导体裸芯片固定并焊接在电路板上的技术称为COB(chip on hoard).这需要把微米级的金属丝与半导体裸芯片的上的焊盘进行焊接,从而实现半导体芯片与外部电路的连接.本文对焊盘的自动识别系统进行了研究。

摘要： 飞思卡尔是世界上排名第一的汽车半导体产品供应商。全球前十大汽车制造商，包括通用、梅塞德斯奔驰和宝马，都在使用该公司的芯片产品。飞思卡尔位于北京的设计中心则专注于先进半导体制造技术的研发，包括新材料与新的制造技术的研究与测试。本文简要回顾一下飞思卡尔在中国的投入情况及取得的成就。

摘要： SOC芯片的技术特点和其所具有的高附加值性，使之成为一种具有国家战略意义的实用技术和代表该国家的高技术发展水平。近几年，美国、日本、欧州各国以及韩国和我国的台湾地区均投入了大量的物力和人力，把SOC芯片设计和制造技术作为一种能提高国际竞争力的战略技术来研究和开发。rn 在本文中，将论述日美等国外的前沿性的半导体制造工艺(0.13um以下)的现状和发展趋势，说明其与SOC芯片技术的相关性和国外在半导体制造上投资战略。然后，对SOC芯片技术的现状进行论述，并以本人设计的采用90nm CMOS工艺、有24MGates和1200Pins的超大规模的SOC芯片的经验对SOC设计技术进行论述。最后，就SOC设计的技术难题和今后的发展趋势等进行论述。

摘要： 针对半导体制造中的TEM检测,本文就仪器的操作及仪器放大倍率的标定这两个方面讨论了如何提高TEM测量结果的精度问题.

摘要： 本文针对复杂制造过程调度问题,系统综述各种常用调度方法,包括以数学规划、仿真和基于规则方法为代表的传统调度方法,以及由人工智能、计算智能和群体智能构成的智能调度方法,并分析各方法的优势与局限性.继而以典型复杂制造过程——半导体制造过程为代表,分析其调度问题与解决方法,最后结合半导体制造过程应用,探讨复杂制造过程调度理论和方法的未来研究趋势.

摘要： 半导体生产线是目前世界上公认的最复杂的制造系统之一,光刻区是半导体生产线中的瓶颈区域和调度中心.基于帝国主义竞争算法(ICA)的调度是将ICA算法与调度规则相结合,通过合理的编码来寻找一组光刻区设备调度规则,用于解决半导体生产线的调度问题.和单一的调度规则不同,这种方法充分考虑了不同工作站的加工特点,进而选择合适的调度规则.使用具有半导体生产线本质特征的简化模型,将ICA算法与单一调度规则进行了比较,结果表明,这种方法对于产品平均加工周期生产指标有明显改善.

摘要： 半导体生产线是目前世界上公认的最复杂的制造系统之一,光刻区是半导体生产线中的瓶颈区域和调度中心.基于帝国主义竞争算法(ICA)的调度是将ICA算法与调度规则相结合,通过合理的编码来寻找一组光刻区设备调度规则,用于解决半导体生产线的调度问题.和单一的调度规则不同,这种方法充分考虑了不同工作站的加工特点,进而选择合适的调度规则.使用具有半导体生产线本质特征的简化模型,将ICA算法与单一调度规则进行了比较,结果表明,这种方法对于产品平均加工周期生产指标有明显改善.

摘要： 半导体生产线是目前世界上公认的最复杂的制造系统之一,光刻区是半导体生产线中的瓶颈区域和调度中心.基于帝国主义竞争算法(ICA)的调度是将ICA算法与调度规则相结合,通过合理的编码来寻找一组光刻区设备调度规则,用于解决半导体生产线的调度问题.和单一的调度规则不同,这种方法充分考虑了不同工作站的加工特点,进而选择合适的调度规则.使用具有半导体生产线本质特征的简化模型,将ICA算法与单一调度规则进行了比较,结果表明,这种方法对于产品平均加工周期生产指标有明显改善.

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 模塑模具(51)具备：朝向型腔(52)注入成为模塑树脂的流动树脂的树脂注入浇口部(59)、积存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存部(63)、以及树脂积存浇口部(65)。树脂积存部(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部(65)将型腔(52)与树脂积存部(63)之间连通。树脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇口部(59)的开口截面积小。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明的目的是提供一种在抛光处理、加热处理、曝光·显影处理、电镀处理及真空处理等各处理中的耐久性优异的半导体封装体制造用支承体、该半导体封装体制造用支承体的使用以及半导体封装体的制造方法，本发明的半导体封装体制造用支承体具有基材层和与上述基材层邻接的粘接层，上述基材层是由含脂环结构树脂膜形成的。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。