芯片封装

摘要： 应用在功率模块以及高速处理器等器件上的半导体芯片具有功率密度高和芯片尺寸大等特点,对封装的散热和热应力释放都有很高的要求。两个元件之间的热膨胀系数(CTE)不匹配产生的热应力会危及相对薄弱的节点,导致芯片翘曲甚至开裂。由于热应力随着芯片工作温度和尺寸的增加而变大,对于大尺寸和大功率半导体芯片封装,热应力的威胁比传统封装严重得多。这使得开发能释放热应力、具有高热导率以及稳定连接界面的热界面(TIM)成为巨大的挑战。

摘要： 1背景集成电路芯片已广泛应用于多个领域,但是制造过程中产生的缺陷会直接影响集成电路芯片的寿命和可靠性。传统的人工检测方法,存在耗时长、劳动强度大、误检率高等缺点,已无法适应生产的需求。通过机器视觉检测技术对产品进行分析处理,检验产品是否符合质量要求,对保障产品质量,提高产品合格率起到了关键作用。

摘要： 该IPC报告对全球半导体和先进封装生态系统进行了全面分析,发现北美陷入了令人担忧的困境:他们可以设计最尖端的电子产品,但无法制造。北美在全球先进半导体芯片封装生产中的份额仅为3%,PCB产量仅占全球4%,几乎没有能力生产先进的IC载板。半导体制造有三个主要部分:芯片制造、载板制造和封装测试。美国在加强半导体制造投资的同时迫切需要投资IC载板,应加强包括PCB和PCBA的整个电子制造生态系统。

摘要： 高热流密度、微型化芯片的发展使传统金属材料的热扩散能力受限。本文设计加工了一款具有微针筋的均温板,应用于芯片封装壳体,实验研究了充液率、芯片尺寸、散热器运行参数(水流量、温度)对均温板壳体(VC IHS)传热性能的影响,并与同工况条件下芯片封装金属铜壳体(Cu IHS)的传热性能进行对比。结果表明:VC IHS的充液率、芯片尺寸和散热器的运行参数会影响VC IHS的传热性能,在高热流密度同工况条件下,VC IHS的最佳充液率为90%,热阻随着散热器运行参数(水流量、温度)和芯片尺寸的增加而降低;当热流密度为200 W/cm^(2)时,相比于Cu IHS,VC IHS的启动时间较短,均温性更佳,热阻和结温均小于Cu IHS,热阻减小20%。对于高热流密度、微型化芯片封装领域,均温板VC在高效散热、均温性方面更具应用前景,不同面积比下热阻比与热流密度的对应关系可为芯片封装VC IHS热设计提供参考。

摘要： 以SiC、GaN等新材料制备的宽禁带半导体功率器件具有耐高温、高频等优异性能,将逐步取代低效的Si半导体材料。随着宽禁带半导体电子元器件在航空、航天以及新能源汽车等领域的应用,功率芯片高密度、高功率的发展趋势将导致新一代电子封装材料面临大电流、高温服役的极端环境,这对电子器件的寿命以及封装材料提出了新的挑战。

摘要： BGA焊锡球是球栅阵列封装(Ball Grid Array)用焊锡球的简称,用来代替芯片封装结构中的引脚,实现电性互连和机械连接。随着球栅阵列封装技术的兴起,BGA焊锡球逐渐得到广泛应用,目前已成为集成电路封装不可缺少的关键材料,年需求增长10%以上。长期以来,我国BGA焊锡球主要依赖进口。经过云南锡业锡材有限公司团队的不懈研究与探索,开展了合金配方、成型控制、表面处理工艺、自动筛选等关键环节的研究。

摘要： 同样的芯片封装,提供给用户的型号都会因为内部细节上的差异有所不同,这些细微的差异如果用人工识别、分拣,是很难完成的任务.特别是对于日趋小型化的芯片,人工识别和分拣更是费时费力的过程,所以构建自动化的芯片识别系统是芯片封装领域的新趋势.

摘要： 针对立针加工中微孔加工位置定位问题,提出了一种基于模板匹配粗定位和基于边缘检测精定位的两步视觉定位方法.在粗定位阶段,提出了一种基于形状模板匹配和支持向量机的粗定位方法,首先建立了带掩膜的模板,在形状模板匹配的基础上,通过提前终止策略、图像金字塔,以及减少搜索面积的方法对匹配过程进行加速,在对匹配结果提取方向梯度直方图特征后,基于支持向量机进行分类从而防止误匹配.在精定位阶段,提出了一种具有角度约束的边缘检测算法定位外轮廓边缘,并采用二次函数拟合梯度极大值实现亚像素边缘定位,利用最小二乘法拟合轮廓边缘后定位微孔加工位置.在实验阶段,首先通过少量样本对支持向量机进行训练,准确率达到了99.76％,在此基础上本文粗定位方法交并比达到82.9％,而传统的模板匹配方法仅为36.5％;将立针以不同姿态放置在不同位置,在不同光照强度下加入高斯噪声后进行精定位实验,发现本文精定位方法的最大定位误差为2.20μm,而基于Canny边缘检测方法的最大定位误差为5.99μm,本文算法总耗时仅需328 m s.

摘要： 本文分别从芯片设计技术和芯片封装技术的维度,针对解决电子产品对芯片小型化、性能优、功能强的要求,对SOC片上系统及HIC、MCM、SIP封装技术的特点进行分析,并给出其相互关系,最终提出SOC片上系统芯片设计和SIP封装技术的各自应用范围,这对于SOC及先进封装技术均有一定指导作用.

摘要： 当前时代背景下我国信息化技术发展迅速,已经一跃成为世界上经济最发达的国家之一,而且在现代化社会下,电子产品的应用得到了普及,但在电子产品的生产领域中,集成电路的封装技术依然存在有一定的不足,本文中,笔者便对集成电路封装技术的现状及未来趋势进行了分析.

摘要： 为实现芯片引脚及引线框架的精确定位,提出了一种改进型的视觉定位方法.该方法结合LOG算子的定位方法和Zernike正交矩的最小二乘椭圆拟合亚像素定位方法,分别对芯片引脚和引线框架进行了定位:对于芯片引脚采用LOG算子算法进行匹配定位,而针对引线框架图像则采用Zernike正交矩的最小二乘椭圆拟合亚像素方法进行定位.通过构建的芯片自动视觉定位平台,进行了相关定位实验.实验表明,芯片引脚及引线框架定位精度小于0.6像素,满足芯片封装应用要求.

摘要： LED具有高效、节能、环保、寿命长、响应速度快等特点，被视作必将成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。但目前LED芯片80%-90%的电能转化成热量，而仅靠芯片封装器件外壳散热难以维持低温工况，严重制约了大功率LED灯的应用。主要是研究在自然空气冷却状态下，影响大功率LED灯散热性能的因素及各因素影响的程度，及大功率LED灯散热设计。本文介绍了LED的结构及特性，概述了大功率LED发展历程以及热效应对LED的影响。

摘要： SMT技术的发展促进了电子制造业的繁荣，芯片封装技术得到前所未有的发展,作为一种常规的封装形式，通过QFP封装技术（Plastic Quad Flat Pockage）实现的CPU技术封装操作方便，寄生参数减小，适合高频应用，基于QFP封装的以上特点，QFP的可制造性及产品的焊接可靠性要求也越来越高，根据业界各大厂商的提供的资料，焊脚的平面和接地焊盘的平面有0.05-0.15㎜不等的间距，焊接的难点主要出现在接地不良以及I/O开路，为了提高制造良率，必须详细探讨QFP的结构特点，以便更好地提高整机焊接可靠性。

摘要： 现代芯片封装技术发展日新月异，它快速地推动了作为电子装联的主流SMT迈入了后SMT(post-SMT)时代。超高性能、超微型化、超薄型化的产品设计技术的异军突起，使得传统的SMT流程和概念愈来愈显得无能为力了。本文针对这种咄咄逼人的发展形势，较全面地描述了现代电子装联技术的发展态势和目前已达到的技术水平，分析了促使其技术发展的驱动力。评述了未来的发展走向。

摘要： 介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300 °C下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300 °C,0.3MPa压力下键合的剪切强度达到了5MPa。

摘要： 以增容改性树脂为主体,溴化环氧为阻燃剂,球硅为填料,采用2116玻璃布制备了基板,表征和分析了基板的介电性能、耐热性能、热膨胀系数、耐湿热性能.结果表明有卤增容改性树脂基板满足IC封装的性能要求.

摘要： 以增容改性树脂为主体,溴化环氧为阻燃剂,球硅为填料,采用2116玻璃布制备了基板,表征和分析了基板的介电性能、耐热性能、热膨胀系数、耐湿热性能.结果表明有卤增容改性树脂基板满足IC封装的性能要求.

摘要： 以增容改性树脂为主体,溴化环氧为阻燃剂,球硅为填料,采用2116玻璃布制备了基板,表征和分析了基板的介电性能、耐热性能、热膨胀系数、耐湿热性能.结果表明有卤增容改性树脂基板满足IC封装的性能要求.

摘要： 以增容改性树脂为主体,溴化环氧为阻燃剂,球硅为填料,采用2116玻璃布制备了基板,表征和分析了基板的介电性能、耐热性能、热膨胀系数、耐湿热性能.结果表明有卤增容改性树脂基板满足IC封装的性能要求.

摘要： 以增容改性树脂为主体,溴化环氧为阻燃剂,球硅为填料,采用2116玻璃布制备了基板,表征和分析了基板的介电性能、耐热性能、热膨胀系数、耐湿热性能.结果表明有卤增容改性树脂基板满足IC封装的性能要求.

摘要： 在集成电路封装基片上形成的发泡焊料或纳米多孔焊料。该发泡焊料呈现出在冲击负载和动态负载期间抵抗开裂的低模量。该发泡焊料用作焊料凸点，焊料凸点用于在集成电路装置和外部结构之间的连通。

摘要： 在集成电路封装基片上形成的发泡焊料或纳米多孔焊料。该发泡焊料呈现出在冲击负载和动态负载期间抵抗开裂的低模量。该发泡焊料用作焊料凸点，焊料凸点用于在集成电路装置和外部结构之间的连通。

摘要： 本发明涉及嵌入式芯片封装、芯片封装和制备嵌入式芯片封装的方法。提供了一种嵌入式芯片封装。该嵌入式芯片封装包括：多个芯片；嵌入了该多个芯片的包装材料；电连接至该多个芯片的至少一个电再分配层；以及连接至该至少一个电再分配层的共用端子，其中该共用端子提供用于以下操作中的至少一个的接口：在该多个芯片与该共用端子之间发送和接收共用电信号。

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构、芯片封装模具与芯片封装工艺。该芯片封装结构包括承载器、芯片以及封装胶体。芯片配置于承载器上。封装胶体包覆部分承载器与芯片。封装胶体的顶面上具有引脚顺序指示部与浇口接点，且引脚顺序指示部位于顶面的第一角落，而浇口接点位于第一角落之外的第二角落。此外，本发明另提出形成此芯片封装结构的芯片封装模具与芯片封装工艺。

摘要： 本发明是揭露一种芯片封装卷带及包含该芯片封装卷带的芯片封装结构。该芯片封装结构包含一芯片以及该芯片封装卷带。该芯片具有一第一侧边、第二侧边及第三侧边。该芯片封装卷带包含一具有纵长方向的可挠性基材层，以及一电性连接结构。该电性连接结构包含一第一导线总成，至少局部由该芯片与该可挠性基材层间，通过该第一侧边沿该纵长方向延伸；以及一第二导线总成，至少局部由该芯片与该可挠性基材层间，由邻近该第一侧边处，朝该第一侧边及该第三侧边的至少其中之一延伸，再通过该第二侧边，沿该纵长方向延伸。

摘要： 本发明公开了芯片封装卷带及包含该芯片封装卷带的芯片封装结构，包括主体，主体的外侧设有填充层，主体的顶部设有导热层，导热层的顶部设有散热层，本发明的有益效果是：本发明实用性强，通过设置导热层为硅胶材料制成有利于提高对芯片热量的传导效率，通过填充层为环氧树脂材料制成有利于提高对芯片的定位效率，通过设置散热导线可以更好的对芯片的热量进行传导，通过设置散热层为导热硅脂材料制成，有利于提高对芯片的散热效率，从而提高使用寿命，通过设置屏蔽层为铝硅金属材料制成可以进一步提高封装结构的使用效率，较传统装置极大的提高了作业质量与使用效率，较传统装置极大的提高了作业质量与使用效率。

摘要： 本发明公开了一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法，该载板为引线框架或基板，载板内形成有用于贴装芯片的基岛，基岛内形成有至少一个镂空区，镂空区边缘形成有半蚀刻区，半蚀刻区与镂空区形成台阶状，半蚀刻区用于填充固化剂一以贴装芯片，基岛形成的镂空区位于芯片在基岛上的正投影内，镂空区未贴装芯片的一侧用于填充固化剂二以粘结芯片，载板的边框形成有导电焊盘，导电焊盘用于与芯片的引出端连接。本发明适用于所有封装类型，能够突破现有芯片厚度极限，通过半蚀刻区贴装超薄芯片，进一步减少封装厚度，采用背面刷胶工艺涂抹固化剂填充镂空区，可避免由于芯片超薄固化剂上翻至芯片正面造成的异常，提高芯片性能，提高良品率。

摘要： 本发明属于电子封装技术领域，公开了一种芯片封装结构、芯片封装装置及芯片封装方法，包括芯片基底和第一连接件；芯片基底一侧上设置用于容置芯片的容置槽，另一侧上依次设置第一绝缘层、RDL布线层以及第二绝缘层；容置槽内设置第一连接件，第一连接件一端用于连接芯片；芯片基底上开设TSV通孔，TSV通孔一端连接第一连接件另一端，另一端穿过第一绝缘层与RDL布线层连接，第二绝缘层上设置第二连接件，第二连接件一端穿过第二绝缘层与RDL布线层连接。该芯片封装结构及芯片封装方法，改变以往的异构芯片间堆叠模式，将传统只能芯片对芯片的堆叠方式，改变成芯片对晶圆的堆叠，以极少代价，实现大规模生产和测试，显著提高生产效率，减少制造成本。

摘要： 本发明涉及嵌入式芯片封装、芯片封装和制备嵌入式芯片封装的方法。提供了一种嵌入式芯片封装。该嵌入式芯片封装包括：多个芯片；嵌入了该多个芯片的包装材料；电连接至该多个芯片的至少一个电再分配层；以及连接至该至少一个电再分配层的共用端子，其中该共用端子提供用于以下操作中的至少一个的接口：在该多个芯片与该共用端子之间发送和接收共用电信号。

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构、芯片封装模具与芯片封装工艺。该芯片封装结构包括承载器、芯片以及封装胶体。芯片配置于承载器上。封装胶体包覆部分承载器与芯片。封装胶体的顶面上具有引脚顺序指示部与浇口接点，且引脚顺序指示部位于顶面的第一角落，而浇口接点位于第一角落之外的第二角落。此外，本发明另提出形成此芯片封装结构的芯片封装模具与芯片封装工艺。