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半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法、半导体元件的制造方法

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摘要

本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

著录项

公开/公告号CN102623412B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-07

原文格式PDF
申请/专利权人三菱电机株式会社;
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申请/专利号CN201210020283.7
发明设计人根岸将人;
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申请日2012-01-29
分类号
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人何立波
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:22:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-01-07

授权

授权
2012-09-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/00 申请日:20120129

实质审查的生效
2012-08-01

公开

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