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陈裕权;
外延片 薄层电阻 势垒层 GaN/Si HEMT 晶向 纤锌矿型 电路集成 硅产业 氧化层;
机译:用电子束蒸发SiO {Sub} 2和Si {Sub} 4使用电子束蒸发对AlGaN / GaN Hemts对AlGaN / GaN Hemts的影响。
机译:具有E模式P-GaN门HEMT和D模式SIC结域效应晶体管的1200V GAN / SIC CASCODE器件
机译:基于100nm SiN凹陷栅技术的(001)取向硅衬底上的AlGaN / GaN HEMT,用于低成本器件制造
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:校正“在400°C的AlGaN / GaN Hemts的AlGaN / GaN Hemts的稳定运行”
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:GaN E-HEMT互连装置GaN E-HEMT装置
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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