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英特尔首款45nm工艺芯片晶体管密度翻倍,功耗降三成

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英特尔公司日前宣布制造出首款采用45nm生产工艺的芯片。与65nm工艺相比，最新的45nm技术在晶体管密度上提高了两倍，达到10亿个，开关速度提高了20％，而功耗却降低三成，且晶体管只有45nm见方。

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《微纳电子技术》 |2006年第3期|159-159|共1页
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正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
英特尔公司; 生产工艺; 晶体管; 密度; 芯片; 功耗; 65nm工艺; 开关速度;

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