瑞萨科技开发用于45nm节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术

首页> 中文期刊> 《集成电路与嵌入式系统》 >瑞萨科技开发用于45nm节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术

瑞萨科技开发用于45nm节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp．）开发出一种可用于45nm节点及以上工艺微处理器和SoC（系统级芯片）产品的高性能和低成本晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极，以及N型晶体管传统多晶硅栅极的混合结构的高性能CMIS晶体管。它可以在不必改变当前制造工艺的条件下实现，从而降低生产成本。采用新技术制造的带有40nm长度栅极的原型晶体管展现了出众的性能。N型晶体管的驱动能力高达620btA／btm，P型晶体管驱动能力高达360btA／btm。此外，已确认在可靠性方面（例如栅极绝缘体强度）没有任何问题，即使是采用新开发的生产工艺流程。

著录项

来源
《集成电路与嵌入式系统》 |2007年第2期|88-88|共1页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
系统级芯片; 科技开发; 制造工艺; 晶体管; 技术包; 低成本; 性能; 节点;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 瑞萨开发出用于45nm器件的新的高性能晶体管技术 [J] . 陈裕权 . 半导体信息 . 2007,第006期
2. 瑞萨科技为45nm工艺SoC开发出低成本CMOS技术 [J] . 程文芳 . 半导体信息 . 2007,第002期
3. 松下电器和瑞萨科技芯片工艺开发合作扩展至45nm [J] . . 电子产品世界 . 2006,第08X期
4. 英特尔首款45nm工艺芯片晶体管密度翻倍,功耗降三成 [J] . 熊述元 . 半导体信息 . 2006,第004期
5. 日本开发用于45nm工艺LSI的高性能化技术 [J] . 杨晓婵（摘译） . 现代材料动态 . 2006,第007期
6. 先进复合材料高性能、快速、低成本成型技术的工艺力学基础研究 [C] . 王殿富 ,于佳 ,刘玲 . 首届全国航空航天领域中的力学问题学术研讨会 . 2004
7. 用于功率芯片互连的高性能无压烧结纳米铜膏制备与制程工艺优化 [A] . 吴雪 . 2020

瑞萨科技开发用于45nm节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅