日本出售SiC肖特基势垒二极管

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机译：4H-SiC肖特基势垒二极管，结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较

机译：锡触点21H-SIC薄膜基肖特基势垒二极管的特点

机译：使用感应雷电应用测试的失效SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管的特性

机译：SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。

机译：外延SiC肖特基势垒二极管的大剂量电子辐射和预期的室温自愈

机译：使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压

机译：确定领先优势领域日本科技：第一次中期报告。使用sIC（标准工业类）类别和科学子字段的活动分析

机译：在日本为偿还全部债务以及在县，市，乡镇中出售的产品而在日本出售的产品的显性义务的国外专利权国家和具有国家专利权编号的海外出口商品在没有完整产品手册的情况下，对产品本身有任何数量的明确义务和对海外检查的明确要求。专利号列出的产品销售说明和互联网专利号描述的义务以及审查发票义务和报纸传单的国家收取的公司税为专利号码公开措施不多的情况下，知识产权资产的数量对专利号码所规定的义务的明确义务和电视广播部门的专利号码的专利数据汇总管理手册的知识产权不喜欢被骗

机译：使用倾斜离子注入的SiC肖特基势垒二极管及其制造方法

机译：倾斜离子注入的SIC肖特基势垒二极管及其制造方法