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3栅极晶体管工艺标准

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正英特尔公司在日本京都举行的"2003 symposia of VLsI Technology"会议上宣布,已成功地将非平面3栅极晶体管的栅极长度由原来的60纳米减少至30纳米。

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来源
《半导体信息》 |2004年第1期|P.24-25|共2页
作者
刘广荣;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
非平面; 日本京都; 工艺标准; 漏电电流; 平面型; 流动通道; 晶圆生产; 开发阶段; 制造设备; 驱动电流;

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