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基于双晶体管鳍式场效晶体管的分裂栅极非易失性浮动栅极闪存存储器及其制造方法

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本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元形成在半导体衬底上，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有向上延伸的鳍片，该向上延伸的鳍片具有相对的第一侧表面和第二侧表面。第一电极和第二电极与该鳍片的第一部分和第二部分电气接触。该鳍片的沟道区包括在该鳍片的该第一部分和该第二部分之间延伸的该第一侧表面和该第二侧表面的部分。浮动栅极沿着该沟道区的该第一部分的该第一侧表面延伸，其中该浮动栅极中没有一个部分沿着该第二侧表面延伸。字线栅极沿着该沟道区的第二部分的该第一侧表面和该第二侧表面延伸。控制栅极设置在该浮动栅极上方。擦除栅极具有第一部分和第二部分，该第一部分与该浮动栅极横向相邻设置，该第二部分竖直地设置在该浮动栅极上方。

著录项

公开/公告号CN111868928A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30

原文格式PDF
申请/专利权人硅存储技术股份有限公司;
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申请/专利号CN201980020126.6
发明设计人 S·乔尔巴;C·德科贝尔特;Z·冯;J·金;X·刘;N·多;
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申请日2019-01-23
分类号H01L27/11524(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/788(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人陈斌
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 08:42:38

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