首页> 中文期刊> 《半导体信息》 >三星NAND闪存容量达到8GB

三星NAND闪存容量达到8GB

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

正三星电子半导体部门日前宣布,该公司研发人员运用60纳米芯片工艺成功开发容量高达8GB的NAND闪存芯片。三星表示,高容量NAND闪存芯片的成功开发,使16GB集成芯片的制作成为可能,而16GB集成芯片可一次储存16个小时的相当于DVD画面水平的影像资料。

著录项

来源
《半导体信息》 |2004年第6期|P.32-32|共1页
作者
江兴;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类存贮器;
关键词
NAND 闪存芯片集成芯片电子半导体移动应用批量生产;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 三星推出业界最大容量的8GB　DDR DRAM模块 [J] . . 集成电路应用 . 2004,第8期
2. 东芝采用90nm处理技术使NAND闪存容量达到4GB水平 [J] . . 微纳电子技术 . 2004,第4期
3. 三星已开始量产8Gb LPDDR4内存芯片 [J] . . 黑龙江科技信息 . 2014,第36期
4. 三星 i7500U——3．2英寸AMOLED屏幕、8GB内存 [J] . . 家庭电子 . 2010,第001期
5. 三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片 [J] . . 中国集成电路 . 2009,第4期
6. 创新XtackingTM架构释放3D NAND闪存潜能 [C] . 程卫华 . 2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会 . 2018
7. 基于大容量NAND闪存文件系统关键技术研究 [A] . 刘柳 . 2011

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号