United Uonolithic Semiconductor公司研制出新型单片电路

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正 United Monolithic Semiconductor 公司已研制成双频倍频器单片电路,可用于从军事到商业通信系统。芯片背部有 RF 和 DC 接地,简化封装工艺,电路采用(PHEMT)制作,栅长为0.25μm,小孔通过衬底,空气桥和电子束栅光刻工艺来制作。其特性是:宽带性能(8～11.5 GHz);在+12dBm 输入功率下,输出功率为15 dBm;Id=60 mA 时,DC偏压 Vd=3.5V。

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来源
《半导体信息》|2003年第2期|P.31-31|共1页
作者
盛柏桢;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类电气、电子工业;
关键词
商业通信光刻工艺封装工艺栅长输出功率孔通 PHEMT 倍频器;

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