冲电气公司开发功率GaN HEMT

孙再吉

首页> 中文期刊> 《半导体信息》 >冲电气公司开发功率GaN HEMT

冲电气公司开发功率GaN HEMT

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

正据日本《电子材料》2003年第5期报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN—HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多信道化的发展,在系统内要求收发信机的低功耗和高密度化。该公司为了适应新品的要求开发了以SiC为衬底的GaN—HEMT功率器件。该器件的跨导(gm)高达500mS,过去该公司的最高值是327mS,500mS是同类器件中目前世界最高的放大水平。该器件的最大振荡频率(fmax)为126 GHz,截止频率(ft)为67 GHz。

著录项

来源
《半导体信息》 |2003年第5期|P.34-34|共1页
作者
孙再吉;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
GaN HEMT 通信容量高密度化信道化截止频率跨导无线通信电气公司电气工业收发信机;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术 [J] . 倪金玉 ,孔岑 ,周建军 . 电源学报 . 2019,第003期
2. 基于GaN HEMT脉冲功率放大器特性的功率控制策略研究 [J] . 武庆威 . 无线电工程 . 2019,第010期
3. 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文) [J] . 王晓亮 ,刘新宇 ,胡国新 . 半导体学报：英文版 . 2005,第10期
4. 意法半导体推出全新G-HEMT系列GaN功率半导体产品 [J] . . 变频器世界 . 2022,第1期
5. Teledyne e2v HiRel的650 V系列产品新增两款大功率GaN HEMT [J] . . 世界电子元器件 . 2021,第001期
6. 高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT [C] . 陈堂胜 ,王晓亮 ,焦刚 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
7. A1GaN/GaN HEMT微波功率特性研究 [A] . 王帅 . 2007

冲电气公司开发功率GaN HEMT

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅