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首只10kV 4H-SiC肖特基二极管问世

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正自1994年报导了第一只采用10μm掺氮6H-SiC漂移层并用P_d作接触金属的1000V肖特基二极管以来,SiC肖特基二极管的阻塞电压得到稳步提高。后来,人们拥有了电子迁移率比6H-SiC高的4H-SiC,并用Ni和Pt作更高势垒的金属接触来提高阻塞电压。

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来源
《半导体信息》 |2003年第6期|P.21-22|共2页
作者
陈裕权;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN311.7;
关键词
肖特基二极管 kV 4H-SiC 电子迁移率势垒金属接触正向电压肖特基接触欧姆接触电流密度缓冲层;

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